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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K1748-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1748-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1748-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K1748-VB 是一款高效能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為各種中高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 可達(dá)到 60V,適合用于需要良好電源管理的電力電子系統(tǒng)。K1748-VB 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,使其能夠在較低的柵電壓下工作,從而有效提高開(kāi)關(guān)效率。其在 VGS=10V 下的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 73mΩ,確保了低功耗和熱耗散性能。這款 MOSFET 的最大漏電流 (ID) 為 18A,使其在多種高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:K1748-VB
- **封裝類(lèi)型**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵極-源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

K1748-VB 在多個(gè)行業(yè)和模塊中有著廣泛的應(yīng)用,以下是一些典型的應(yīng)用場(chǎng)景:

1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:
  - 由于其低導(dǎo)通電阻和良好的導(dǎo)通特性,K1748-VB 非常適合用作開(kāi)關(guān)電源中的主開(kāi)關(guān)元件。其高效率使得在電源轉(zhuǎn)換中減少功率損耗,進(jìn)而提高整體系統(tǒng)的能效。

2. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**:
  - 該 MOSFET 可用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路中,確保穩(wěn)定的電流輸出。其優(yōu)良的電氣特性能夠提高 LED 照明系統(tǒng)的亮度均勻性和壽命。

3. **電機(jī)控制**:
  - K1748-VB 可以用于電機(jī)控制系統(tǒng),尤其是在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和無(wú)刷電機(jī)應(yīng)用中。其高電流能力和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠?qū)崿F(xiàn)電機(jī)的高效控制,提高系統(tǒng)響應(yīng)速度。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:
  - 在電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于控制充電和放電過(guò)程,確保電池的安全性與性能。其在高電流和高電壓下的良好表現(xiàn),使其適用于多種電池配置。

5. **功率放大器**:
  - K1748-VB 也可用于功率放大器中,作為輸出級(jí)的開(kāi)關(guān)元件,能夠處理較大的功率,滿足音頻和射頻應(yīng)用的需求。

綜上所述,K1748-VB 是一款設(shè)計(jì)精良的 N 溝道 MOSFET,其廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景使其成為電力電子領(lǐng)域的理想選擇,能夠有效滿足高效能和高可靠性的要求。

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