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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K1284-Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1284-Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K1284-Z-VB是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為低電壓、高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為100V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,具有快速開(kāi)啟和低導(dǎo)通損耗的特點(diǎn)。閾值電壓(Vth)為1.8V,能夠在較低的柵源電壓下迅速啟動(dòng)。K1284-Z-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為10V時(shí)為114mΩ,支持最大漏電流(ID)達(dá)到15A,適用于各種功率轉(zhuǎn)換和電源管理應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **產(chǎn)品型號(hào)**: K1284-Z-VB
- **封裝類(lèi)型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)類(lèi)型**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
K1284-Z-VB MOSFET廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,具體包括:

1. **電源管理系統(tǒng)**: 由于其出色的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,K1284-Z-VB被廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,確保高效率的電能轉(zhuǎn)換,減少能量損耗。

2. **電動(dòng)工具**: 該MOSFET能夠在電動(dòng)工具的驅(qū)動(dòng)電路中有效控制電流,確保工具在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行,延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

3. **汽車(chē)電子**: K1284-Z-VB適合用于汽車(chē)電源管理系統(tǒng)中,如LED照明、動(dòng)力控制等,提供高效的電流管理,提升整車(chē)電氣系統(tǒng)的性能。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 在智能手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品中,K1284-Z-VB能夠用于高效的電源開(kāi)關(guān),支持快速充電和高效能量管理。

通過(guò)這些應(yīng)用,K1284-Z-VB不僅提升了設(shè)備的性能,還保證了在不同工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

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