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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K100S04N1L-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K100S04N1L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 1.6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、K100S04N1L-VB 產品簡介
K100S04N1L-VB 是一款高效的單 N-溝道 MOSFET,專為高電流和中等電壓應用設計。其最大漏源電壓 (VDS) 為 40V,能夠承受高達 ±20V 的柵源電壓 (VGS)。該器件采用 TO252 封裝,提供優異的散熱性能和良好的電氣特性。其閾值電壓 (Vth) 為 3V,導通電阻 (RDS(ON)) 在 4.5V 柵壓下為 3mΩ,在 10V 柵壓下為 1.6mΩ,確保在高負載條件下具有極低的功耗。K100S04N1L-VB 采用 Trench 技術,提供卓越的導電性能和開關速度,廣泛應用于電源管理和高功率電路。

### 二、K100S04N1L-VB 詳細參數說明

| 參數                     | 數值                   |
| ------------------------ | ---------------------- |
| **型號**                 | K100S04N1L-VB          |
| **封裝類型**             | TO252                  |
| **配置**                 | 單 N-溝道              |
| **最大漏源電壓 (VDS)**   | 40V                    |
| **最大柵源電壓 (VGS)**   | ±20V                   |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 3V                     |
| **導通電阻 (RDS(ON))**   | 3mΩ @ VGS=4.5V        |
|                          | 1.6mΩ @ VGS=10V       |
| **最大漏極電流 (ID)**     | 120A                   |
| **技術類型**             | Trench                 |
| **工作溫度范圍**         | -55°C 至 150°C        |

### 三、適用領域和模塊舉例

1. **電源管理系統**  
  K100S04N1L-VB 非常適合用于高效的電源管理系統,尤其是在 DC-DC 轉換器和電源適配器中。由于其極低的導通電阻和高電流承載能力,可以顯著提高系統的效率,降低熱損耗。

2. **電機驅動電路**  
  該 MOSFET 能夠高效驅動電機,適用于各種電動機控制應用,如無刷直流電機和步進電機控制。其高電流承載能力和快速開關性能,使其成為工業自動化和機器人技術中的理想選擇。

3. **電動汽車**  
  K100S04N1L-VB 在電動汽車的動力管理系統中也有廣泛應用。其高耐壓和大電流特性使其能夠在電池管理系統和電機驅動系統中提供出色的性能,確保電動汽車的高效運行。

4. **LED照明驅動**  
  由于其卓越的開關特性和低導通損耗,K100S04N1L-VB 適用于 LED 照明驅動電路。能夠高效控制 LED 的工作狀態,提升整體照明系統的能效。

5. **消費電子產品**  
  在各種消費電子產品中,如計算機電源、家用電器等,K100S04N1L-VB 可用于電源開關和信號調節電路。其高可靠性和穩定性使其成為這些應用中的理想選擇,提升產品的性能和用戶體驗。

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