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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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JCS50N06RH-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: JCS50N06RH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### JCS50N06RH-VB MOSFET 產品簡介

**JCS50N06RH-VB** 是一款高性能 N 型 MOSFET,采用 TO-252 封裝,專為中高壓應用設計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為 60V,適合用于各類電源管理和開關電路。最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,確保器件在安全條件下穩定運行。JCS50N06RH-VB 的導通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時為 13mΩ,在 VGS=10V 時為 10mΩ,提供了優異的低功耗性能。采用 Trench 技術,該 MOSFET 在高溫下依然能夠保持良好的工作穩定性,非常適合現代電力電子應用。

---

### 詳細參數說明

1. **封裝**: TO-252  
  - TO-252 封裝設計提供良好的散熱性能,適合中到高功率的應用。

2. **配置**: 單個 N 型通道  
  - 單通道配置允許有效控制電流,適用于多種電路設計。

3. **漏源電壓 (VDS)**: 60V  
  - 器件可以承受的最大漏源電壓,適合于中壓電路應用。

4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
  - 最大柵極和源極之間的允許電壓,確保器件的安全和穩定。

5. **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V  
  - 器件開始導通所需的最小柵極電壓,提供良好的開關特性。

6. **導通電阻 (RDS(ON))**:  
  - @ VGS = 4.5V 時為 13mΩ  
  - @ VGS = 10V 時為 10mΩ  
  - 低導通電阻使其在工作時具有高效能和低熱量產生。

7. **電流額定值 (ID)**: 58A  
  - 器件在正常工作條件下能夠處理的最大連續電流,適合高負載應用。

8. **技術**: Trench  
  - Trench 技術提供優良的開關特性和低導通損耗,適合高效能電力電子設計。

---

### 應用示例

1. **電源供應**:  
  JCS50N06RH-VB 非常適合用于高效的電源轉換器和開關電源,能夠有效降低功耗并提高能量轉換效率。

2. **電動工具**:  
  該 MOSFET 可應用于電動工具的電機驅動控制中,確保在啟動和運行過程中提供穩定的電流和功率。

3. **電動車輛**:  
  在電動車輛的驅動系統中,JCS50N06RH-VB 能夠用于電池管理和電動機驅動,提升整體能效和性能。

4. **LED 照明**:  
  該器件同樣適用于 LED 照明驅動電路,其低導通電阻特性能夠有效提升 LED 的亮度和穩定性。

綜上所述,JCS50N06RH-VB 是一款適用于多種中高壓電力電子應用的 N 型 MOSFET,因其高效能、低功耗和穩定性成為現代電子設計的重要組成部分。

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