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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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J634-TL-E-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: J634-TL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、J634-TL-E-VB產(chǎn)品簡介

J634-TL-E-VB是一款高效的單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電流應用設計。該器件的漏源極電壓(VDS)為-60V,能夠在高負壓環(huán)境中穩(wěn)定運行。J634-TL-E-VB的柵源極電壓(VGS)范圍為±20V,適合多種應用場合。它的閾值電壓(Vth)為-1.7V,提供了良好的開關(guān)性能。其導通電阻(RDS(ON))在不同的柵源電壓下分別為72mΩ(@VGS=4.5V)和61mΩ(@VGS=10V),確保了高效率和低功耗。借助Trench溝槽技術(shù),J634-TL-E-VB在電源管理、開關(guān)電路等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。

### 二、J634-TL-E-VB詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)             | 數(shù)值                   |
| ---------------- | ---------------------- |
| **封裝類型**     | TO252                  |
| **配置**         | 單P溝道                |
| **漏源極電壓**   | -60V                   |
| **柵源極電壓**   | ±20V                   |
| **閾值電壓**     | -1.7V                  |
| **導通電阻**     | 72mΩ@VGS=4.5V         |
|                  | 61mΩ@VGS=10V          |
| **漏極電流**     | -30A                   |
| **技術(shù)類型**     | Trench溝槽技術(shù)         |

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  J634-TL-E-VB適合用于各種電源管理模塊,特別是在DC-DC轉(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器中。其低導通電阻特性可以顯著提高能效,減少熱損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **電動工具和設備**  
  在電動工具和消費電子設備的電機驅(qū)動中,J634-TL-E-VB能夠處理高達-30A的電流,非常適合用于高功率電機控制。其快速響應特性能夠確保電機在啟動和停止過程中的平穩(wěn)運行。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**  
  該MOSFET在鋰電池管理系統(tǒng)中應用廣泛,尤其是在電池保護和充放電管理功能中,確保電池在安全范圍內(nèi)操作,有效延長電池壽命。

4. **可再生能源和逆變器**  
  J634-TL-E-VB非常適合用于逆變器和太陽能電池板控制器等可再生能源應用中。它的高電流處理能力和低功率損耗特性使其在電流控制和電能轉(zhuǎn)換方面表現(xiàn)出色。

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