--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:J633-TL-VB
J633-TL-VB是一款高效能的單P溝道功率MOSFET,采用TO-252封裝,設計用于承受最大漏源電壓為-60V的應用。該器件支持±20V的柵源電壓(VGS),并具有優良的開關性能和低導通電阻,導通電阻在4.5V的柵壓下為72mΩ,在10V時為61mΩ,能夠提供高達-30A的連續漏極電流(ID)。其采用溝槽(Trench)技術,確保了器件在高效能和低功耗條件下的可靠性,非常適合各類電源管理和開關控制應用。
### 詳細參數說明:
1. **封裝**:TO-252
- TO-252封裝設計緊湊,適合用于空間有限的應用,同時具有良好的散熱性能。
2. **配置**:單P溝道
- 單P溝道結構使其適合用于電源開關和線性調節應用。
3. **漏源電壓(VDS)**:-60V
- 該MOSFET可承受的最大漏源電壓為-60V,適合多種電壓級別的電源管理應用。
4. **柵源電壓(VGS)**:±20V
- 最大柵源電壓范圍為±20V,確保器件在廣泛的工作條件下正常運行。
5. **柵極閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- 柵極閾值電壓較低,使得該MOSFET在低柵極電壓下也能夠導通,提供靈活的驅動選項。
6. **導通電阻(RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS=4.5V
- 61mΩ @ VGS=10V
- 低導通電阻減少了導通損耗,提升了能效。
7. **漏極電流(ID)**:-30A
- 最大連續漏極電流為-30A,滿足高電流負載的需求。
8. **技術**:溝槽(Trench)
- 采用先進的溝槽技術,提供更高的功率密度和開關性能。
### 應用領域和模塊:
1. **電源轉換器**:
J633-TL-VB適用于高效的DC-DC轉換器及開關電源模塊,其低導通電阻和高電流能力使其在電源管理系統中表現出色。它在電源轉化和能量傳遞中發揮關鍵作用。
2. **電機控制系統**:
該MOSFET廣泛應用于直流電機驅動模塊,能夠快速響應電機的啟動、調速和停止需求,適合工業自動化、家電等電機控制應用。
3. **充電器和電池管理系統**:
在充電器和電池管理系統中,J633-TL-VB可用作開關器件,負責電池的充電和放電控制。它的高效能確保在充電過程中最大限度地降低能量損耗。
4. **汽車電子**:
該器件的高可靠性和耐壓特性使其在汽車電子應用中非常適用,常用于負載開關、電源分配和車載電器控制等模塊,確保安全和穩定的電流供應。
通過J633-TL-VB的高效能和低損耗特性,它在多個領域的應用中都提供了可靠的性能,適應了現代電子設備對功率和效率的嚴格要求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12