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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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J633-TL-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: J633-TL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介:J633-TL-VB  
J633-TL-VB是一款高效能的單P溝道功率MOSFET,采用TO-252封裝,設計用于承受最大漏源電壓為-60V的應用。該器件支持±20V的柵源電壓(VGS),并具有優良的開關性能和低導通電阻,導通電阻在4.5V的柵壓下為72mΩ,在10V時為61mΩ,能夠提供高達-30A的連續漏極電流(ID)。其采用溝槽(Trench)技術,確保了器件在高效能和低功耗條件下的可靠性,非常適合各類電源管理和開關控制應用。

### 詳細參數說明:
1. **封裝**:TO-252  
  - TO-252封裝設計緊湊,適合用于空間有限的應用,同時具有良好的散熱性能。

2. **配置**:單P溝道  
  - 單P溝道結構使其適合用于電源開關和線性調節應用。

3. **漏源電壓(VDS)**:-60V  
  - 該MOSFET可承受的最大漏源電壓為-60V,適合多種電壓級別的電源管理應用。

4. **柵源電壓(VGS)**:±20V  
  - 最大柵源電壓范圍為±20V,確保器件在廣泛的工作條件下正常運行。

5. **柵極閾值電壓(Vth)**:-1.7V  
  - 柵極閾值電壓較低,使得該MOSFET在低柵極電壓下也能夠導通,提供靈活的驅動選項。

6. **導通電阻(RDS(ON))**:  
  - 72mΩ @ VGS=4.5V  
  - 61mΩ @ VGS=10V  
  - 低導通電阻減少了導通損耗,提升了能效。

7. **漏極電流(ID)**:-30A  
  - 最大連續漏極電流為-30A,滿足高電流負載的需求。

8. **技術**:溝槽(Trench)  
  - 采用先進的溝槽技術,提供更高的功率密度和開關性能。

### 應用領域和模塊:
1. **電源轉換器**:  
  J633-TL-VB適用于高效的DC-DC轉換器及開關電源模塊,其低導通電阻和高電流能力使其在電源管理系統中表現出色。它在電源轉化和能量傳遞中發揮關鍵作用。

2. **電機控制系統**:  
  該MOSFET廣泛應用于直流電機驅動模塊,能夠快速響應電機的啟動、調速和停止需求,適合工業自動化、家電等電機控制應用。

3. **充電器和電池管理系統**:  
  在充電器和電池管理系統中,J633-TL-VB可用作開關器件,負責電池的充電和放電控制。它的高效能確保在充電過程中最大限度地降低能量損耗。

4. **汽車電子**:  
  該器件的高可靠性和耐壓特性使其在汽車電子應用中非常適用,常用于負載開關、電源分配和車載電器控制等模塊,確保安全和穩定的電流供應。

通過J633-TL-VB的高效能和低損耗特性,它在多個領域的應用中都提供了可靠的性能,適應了現代電子設備對功率和效率的嚴格要求。

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