--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### J389-VB 產(chǎn)品簡介
J389-VB 是一款高性能單極性 P 型 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件能夠承受高達(dá) -60V 的漏源電壓,結(jié)合 Trench 技術(shù),提供優(yōu)越的導(dǎo)電性能和較低的導(dǎo)通電阻。J389-VB 適合用于多種電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,其高效能和穩(wěn)定性使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: J389-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單極性 P 型
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 61mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: -30A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
J389-VB 在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出其優(yōu)越的適用性。首先,在電源管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 非常適合用于開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠在高電壓和高電流條件下提供穩(wěn)定的電流輸出,顯著提高系統(tǒng)效率并降低能量損耗。其次,在家用電器和工業(yè)設(shè)備中,J389-VB 可作為負(fù)載開關(guān),支持快速電流切換,從而提高設(shè)備的響應(yīng)速度和靈活性。此外,該器件在電動機(jī)驅(qū)動、高功率應(yīng)用及汽車電子中同樣表現(xiàn)出色,適合用于電動工具、機(jī)床以及電力系統(tǒng),確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運行。綜上所述,J389-VB 是高功率和高效率應(yīng)用中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12