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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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J389-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: J389-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### J389-VB 產(chǎn)品簡介

J389-VB 是一款高性能單極性 P 型 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件能夠承受高達(dá) -60V 的漏源電壓,結(jié)合 Trench 技術(shù),提供優(yōu)越的導(dǎo)電性能和較低的導(dǎo)通電阻。J389-VB 適合用于多種電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,其高效能和穩(wěn)定性使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: J389-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單極性 P 型  
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 72mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 61mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏電流 (ID)**: -30A  
- **技術(shù)**: Trench  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

J389-VB 在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出其優(yōu)越的適用性。首先,在電源管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 非常適合用于開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠在高電壓和高電流條件下提供穩(wěn)定的電流輸出,顯著提高系統(tǒng)效率并降低能量損耗。其次,在家用電器和工業(yè)設(shè)備中,J389-VB 可作為負(fù)載開關(guān),支持快速電流切換,從而提高設(shè)備的響應(yīng)速度和靈活性。此外,該器件在電動機(jī)驅(qū)動、高功率應(yīng)用及汽車電子中同樣表現(xiàn)出色,適合用于電動工具、機(jī)床以及電力系統(tǒng),確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運行。綜上所述,J389-VB 是高功率和高效率應(yīng)用中的理想選擇。

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