**產品簡介：**
J338-Z-VB是一款高性能的單P通道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓應用設計。其漏源電壓（VDS）高達-150V，最大漏電流（ID）為-15A，適合用于電源管理和開關電路。該MOSFET具有合理的導通電阻（RDS(ON)為160mΩ@VGS=10V），在高效能下運行時能有效降低能耗和發熱。
**詳細參數說明：**
- **封裝：** TO252
- **配置：** 單P通道
- **VDS：** -150V
- **VGS：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** -2V
- **導通電阻（RDS(ON)）：**
- 160mΩ（在VGS=10V時）
- **最大持續漏電流（ID）：** -15A
- **技術：** Trench
**應用領域與模塊示例：**
J338-Z-VB廣泛應用于高壓開關電源、DC-DC轉換器和負載開關等領域。其高電壓能力使其非常適合用于電動汽車充電器、工業自動化設備和高壓LED驅動模塊中，確保在各種工作條件下的可靠性與高效性。
