--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
J314-01S-VB是一款高性能P型MOSFET,采用TO252封裝,專為中高壓應用設計。其漏源電壓(VDS)為-60V,最大持續(xù)電流為-30A。該器件采用Trench技術,具備低導通電阻和優(yōu)良的熱穩(wěn)定性,適合各種電力管理和驅動電路,能在嚴苛環(huán)境下可靠運行。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單P通道
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS=4.5V
- 61mΩ @ VGS=10V
- **最大持續(xù)電流 (ID)**: -30A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
J314-01S-VB廣泛應用于多個領域,主要包括:
1. **開關電源**:在DC-DC轉換器中作為高效的開關元件,確保穩(wěn)定的電壓輸出和能量轉換。
2. **電動汽車**:用于電源管理和電機控制,提升整體效率和動力傳遞能力。
3. **工業(yè)自動化**:作為電機驅動和負載開關,確保在高負載條件下的可靠運行。
4. **消費電子**:在智能家居和其他電子設備中優(yōu)化電源管理,提高產(chǎn)品的能效和性能。
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