**產品簡介：**
J195-VB是一款高性能的單P通道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓應用設計。其漏源電壓（VDS）高達-100V，最大漏電流（ID）為-8.8A，適合用于電源管理和開關應用。盡管其導通電阻（RDS(ON)為250mΩ@VGS=10V）相對較高，但其可靠性和耐用性使其在高電壓環境下表現出色。
**詳細參數說明：**
- **封裝：** TO252
- **配置：** 單P通道
- **VDS：** -100V
- **VGS：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** -2V
- **導通電阻（RDS(ON)）：**
- 280mΩ（在VGS=4.5V時）
- 250mΩ（在VGS=10V時）
- **最大持續漏電流（ID）：** -8.8A
- **技術：** Trench
**應用領域與模塊示例：**
J195-VB廣泛應用于高電壓電源供應、DC-DC轉換器和負載開關等領域。其高電壓處理能力使其非常適合用于電動汽車充電器、工業設備和太陽能逆變器等模塊中，確保在嚴苛條件下的穩定性和高效性。
