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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IXTY44N10T-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IXTY44N10T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IXYT44N10T-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IXYT44N10T-VB 是一款高效能 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO252,專為中等電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓(VDS)為 100V,適合廣泛的電力電子應(yīng)用。該器件的柵極源極電壓(VGS)可達(dá) ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.8V,能夠在低驅(qū)動(dòng)電壓下啟動(dòng)。采用 Trench 技術(shù),使得導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 18mΩ @ VGS=10V)非常低,有助于提升效率并降低發(fā)熱,適合高功率開關(guān)和控制場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:IXYT44N10T-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)?N 通道
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵極源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:18mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**:45A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:IXYT44N10T-VB 可作為開關(guān)電源中的主開關(guān)器件,能夠有效處理高電流和電壓,提升電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:在電機(jī)控制應(yīng)用中,該 MOSFET 可用于 H 橋電路,提供高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng),確保電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:適用于多種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,IXYT44N10T-VB 能夠高效轉(zhuǎn)換電壓,支持大功率應(yīng)用,如工業(yè)設(shè)備和電池供電設(shè)備。

4. **電力管理系統(tǒng)**:在電力分配和管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于高電流負(fù)載的控制,確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定。

5. **LED 驅(qū)動(dòng)應(yīng)用**:在 LED 照明和顯示應(yīng)用中,IXYT44N10T-VB 可作為驅(qū)動(dòng)器,確保高亮度輸出和長(zhǎng)壽命,滿足市場(chǎng)對(duì)高效能照明的需求。

以上是 IXYT44N10T-VB 的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明及其適用領(lǐng)域的示例。如需更多信息或具體應(yīng)用案例,請(qǐng)隨時(shí)告知!

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