IXTY08N50D2-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

MOSFET MOS管 VBsemi 場(chǎng)效應(yīng)管

型號(hào)： IXTY08N50D2-VB

品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

Package TO252
溝道 Single-N-Channel
VDS 650V
VGS 30（±V）
Vth 3.5V
RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

IXTY08N50D2-VB.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IXTY08N50D2-VB是一款高電壓N溝道MOSFET，具有650V的VDS和30V的VGS，采用TO252封裝。該器件通過SJ_Multi-EPI技術(shù)優(yōu)化，具備良好的熱性能和開關(guān)特性。其導(dǎo)通電阻為700mΩ@VGS=10V，能夠有效支持中等電流應(yīng)用，適合于各種電源管理和轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。

### 參數(shù)說明
- **型號(hào)**：IXTY08N50D2-VB
- **封裝**：TO252
- **配置**：?jiǎn)蝹€(gè)N溝道
- **VDS**：650V
- **VGS**：±30V
- **Vth**：3.5V
- **RDS(ON)**：700mΩ @ VGS=10V
- **ID**：7A
- **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
IXTY08N50D2-VB廣泛應(yīng)用于高壓電源轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和逆變器等模塊。它在電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)（如太陽(yáng)能逆變器）和電力電子設(shè)備中發(fā)揮著重要作用，能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。該MOSFET適合用于高壓直流供電、工業(yè)自動(dòng)化及電源管理系統(tǒng)，提供高效的能量控制和轉(zhuǎn)換能力。

微碧半導(dǎo)體VBsemi

IXTY08N50D2-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

為你推薦

P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51

P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48

P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47

P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44

P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42

P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40

P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36

P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31

P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28

P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25

IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

VBE2610N：重塑P溝道功率方案，以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12