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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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ISL9N306AD3ST-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: ISL9N306AD3ST-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介
ISL9N306AD3ST-VB 是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電流和低電壓應用設計。其額定漏源電壓(VDS)為30V,最大漏極電流(ID)可達80A,能夠滿足許多高效能電路的需求。得益于Trench技術,該器件在較低的柵極驅動電壓下(如4.5V和10V)提供超低的導通電阻,分別為6mΩ和5mΩ,使其非常適合用于高效電源管理和開關應用。

### 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵極電壓(VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 80A
- **技術**: Trench MOSFET
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **柵極電荷(Qg)**: 20nC (典型值)
- **體二極管反向恢復時間(trr)**: 25ns (典型值)

### 應用領域與模塊示例
1. **電源管理系統**: ISL9N306AD3ST-VB 非常適合用于高效的DC-DC轉換器和開關電源,能夠在高負載條件下實現出色的能效,適用于工業電源和便攜式設備。

2. **電機驅動**: 該MOSFET的高電流處理能力使其成為電機驅動控制電路的理想選擇,適合用于無刷電機、直流電機及步進電機的控制應用,廣泛應用于自動化和機器人技術。

3. **汽車電子**: 由于其高耐溫性能和低導通電阻,ISL9N306AD3ST-VB 可以用于汽車的電源控制模塊,包括燈光控制和電動窗戶等,提供穩定可靠的性能。

4. **LED驅動**: 在LED照明應用中,該器件能夠有效控制電流,從而實現高亮度和高效能的照明解決方案,適用于商業和住宅照明系統。

5. **智能家居設備**: 該MOSFET 適合用于智能家居產品中的開關控制和電源管理,能夠提高能源利用率,并改善用戶體驗,例如在智能插座和家電控制系統中。

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