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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR8729TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR8729TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介

**IRLR8729TRPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,適用于各種低壓、高電流應用。其最大漏源電壓(VDS)為30V,柵極驅動電壓范圍為±20V,閾值電壓(Vth)為1.7V。該器件具有極低的導通電阻,分別為6mΩ@VGS=4.5V 和 5mΩ@VGS=10V,同時具備高達80A的漏極電流處理能力。基于先進的Trench技術,該MOSFET可實現高效的開關性能,并且具備良好的散熱能力,適用于電源管理、汽車電子、工業控制等領域。

### 二、詳細參數說明

- **器件型號**: IRLR8729TRPBF-VB
- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 80A
- **瞬態漏極電流 (ID,pulse)**: 320A
- **最大功耗 (Ptot)**: 120W(在理想散熱條件下)
- **最大結溫 (Tj)**: 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 100nC
- **輸入電容 (Ciss)**: 2500pF
- **開關延遲時間**:
 - 上升時間 (tr): 30ns
 - 下降時間 (tf): 40ns

### 三、應用領域和模塊舉例

**IRLR8729TRPBF-VB** 適用于多種領域,主要包括以下應用:

1. **電源管理系統**:
  在電源管理應用中,如同步降壓轉換器和負載開關,IRLR8729TRPBF-VB 的低導通電阻能夠有效減少功率損耗,從而提升電源轉換效率。其適合用于高性能的電源模塊、服務器電源和消費類電子設備的電源管理單元。

2. **汽車電子**:
  該MOSFET 在汽車電子中有廣泛的應用,尤其是在電動汽車的電池管理系統、車載DC-DC轉換器以及電機驅動中。其高電流處理能力和高效的熱管理性能確保了車輛在極端工作條件下的穩定性和效率。

3. **工業控制**:
  在工業自動化和控制領域,IRLR8729TRPBF-VB 可用于工業電機控制系統、伺服驅動器、繼電器和開關電路。其強大的負載能力和快速響應速度使其能夠應對復雜的工業控制需求,提供穩定的操作性能。

4. **通信設備**:
  IRLR8729TRPBF-VB 可用于通信設備中的高頻開關電路和功率放大器。其低損耗和高速開關特性,使其在通信基站、路由器以及無線電設備中能夠有效支持高數據傳輸速率的需求,同時保持低功耗運行。

5. **消費類電子**:
  該器件也廣泛應用于各種消費類電子產品中,如智能家電、電動工具以及便攜式設備中的電源管理模塊。其低功耗和高效性能幫助優化設備的電源使用,延長電池壽命并提高整體性能。

綜上所述,IRLR8729TRPBF-VB MOSFET 是一種適用于高電流和低電壓場景的高效解決方案,廣泛應用于電源管理、汽車電子、工業控制、通信設備和消費類電子等多個領域。

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