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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR8203TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR8203TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR8203TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR8203TRPBF-VB 是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝。這款MOSFET 具有極低的導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力,非常適合高電流和高效率應(yīng)用。其漏源極電壓(VDS)為30V,能夠處理最大100A的漏極電流(ID)。采用Trench技術(shù),IRLR8203TRPBF-VB 在VGS為4.5V時,其導(dǎo)通電阻僅為3mΩ,而在VGS為10V時降至2mΩ。這些特性使其在高功率和高效能的電源管理中表現(xiàn)卓越。

### IRLR8203TRPBF-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

- **器件類型**:N溝道MOSFET
- **封裝**:TO252
- **配置**:單通道
- **漏源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench溝槽技術(shù)
- **功耗**:低功耗,高效率
- **熱阻**:優(yōu)良的熱管理,增強器件穩(wěn)定性

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**:IRLR8203TRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻使其成為高效電源管理系統(tǒng)的理想選擇。在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET 提供低功耗和高效能的電流開關(guān),優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機控制**:其高電流能力和低導(dǎo)通電阻使該MOSFET 適用于電機驅(qū)動應(yīng)用,如電動工具、電動車和工業(yè)電機控制。它可以有效地處理大電流負載,減少功耗并提高電機控制的可靠性和效率。

3. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,IRLR8203TRPBF-VB 可以用作電池開關(guān)和電流保護,確保電池的安全和高效運行。其高電流處理能力有助于優(yōu)化電池性能和延長電池壽命。

4. **高功率LED驅(qū)動**:在LED照明系統(tǒng)中,該MOSFET 可以高效地驅(qū)動高功率LED,減少功耗并提供穩(wěn)定的光輸出。這使其適用于要求高功率和高效率的LED照明應(yīng)用。

5. **汽車電子**:IRLR8203TRPBF-VB 在汽車電子系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用,如電動控制模塊和電源開關(guān)。其高電流能力和低功耗特性能滿足汽車中對高效電流控制的需求。

IRLR8203TRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在這些高電流、高效率的應(yīng)用中非常出色,能夠顯著提高系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

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