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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR8103TRR-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR8103TRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### IRLR8103TRR-VB MOSFET 產品簡介

IRLR8103TRR-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252 封裝,專為中高電流和中低電壓應用設計。它的最大漏源電壓 (VDS) 為 30V,柵極驅動電壓 (VGS) 可達到 ±20V。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,能在較低的柵極電壓下可靠地開啟。IRLR8103TRR-VB 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 3mΩ @ VGS=4.5V 和 2mΩ @ VGS=10V,支持高達 100A 的連續漏極電流 (ID)。其采用 Trench 技術,提供了極低的導通電阻和出色的開關性能,非常適合高功率和高頻率的應用場景。

### IRLR8103TRR-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO-252
- **溝道配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **最大連續漏極電流 (ID)**: 100A
- **功耗 (PD)**: 3W(估算,具體值依賴于散熱條件)
- **技術類型**: Trench 技術
- **開關頻率**: 適用于高頻開關應用
- **結溫范圍**: -55°C 至 +150°C

### 應用領域與模塊

1. **電源管理系統**  
  IRLR8103TRR-VB 的極低導通電阻和高電流能力使其非常適合電源管理系統中的高效電源轉換。它可以用于電源模塊、電源開關和高電流負載的控制,顯著提升電源系統的效率和穩定性。

2. **DC-DC 轉換器**  
  在 DC-DC 轉換器中,該 MOSFET 的低 RDS(ON) 和高電流承載能力使其能夠有效減少功率損耗。適用于高效能的 DC-DC 轉換器設計,如電動汽車電源、工業電源和通訊電源等。

3. **電機驅動**  
  IRLR8103TRR-VB 的高電流處理能力使其非常適合電機驅動應用。在電動工具、電動汽車和自動化設備中,它能穩定地驅動電機,提供強大的控制能力和高效的能量轉換。

4. **電池管理系統**  
  由于其高電流能力和低導通電阻,IRLR8103TRR-VB 在電池管理系統中表現優異。它可以用于電池充放電控制、過流保護和功率轉換,廣泛應用于電動汽車電池、儲能系統和可再生能源系統。

5. **汽車電子**  
  IRLR8103TRR-VB 也適用于汽車電子領域,能夠滿足汽車中的高電流負載需求。它可用于汽車電池管理、電源開關、燈光控制和其他汽車電子模塊,提高系統的可靠性和性能。

IRLR8103TRR-VB 的優異性能使其在高電流和中低電壓的應用中表現出色,成為多種電子設備和電源管理系統中不可或缺的開關元件。

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