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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR7807ZTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR7807ZTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR7807ZTRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR7807ZTRPBF-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓高電流應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)可達±20V,柵閾值電壓(Vth)為1.7V。這款MOSFET 在較低的柵源電壓下也能提供低的導通電阻,RDS(ON)為9mΩ(在VGS=4.5V時)和7mΩ(在VGS=10V時)。憑借其高達70A的漏極電流承載能力和Trench(溝槽)技術,IRLR7807ZTRPBF-VB 在處理高電流和低電壓應用時表現(xiàn)出色,能夠有效減少功率損耗,提高整體系統(tǒng)的效率。

### IRLR7807ZTRPBF-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 70A  
- **技術類型**: Trench(溝槽)技術  
- **最大功率耗散 (PD)**: 3W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
- **封裝引腳**: 三引腳(Drain, Gate, Source)

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源開關**
  - IRLR7807ZTRPBF-VB 適用于高電流電源開關應用。在電源管理模塊中,這款MOSFET 可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的高電流開關部分,憑借其低導通電阻和高漏極電流能力,能有效提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少功耗,穩(wěn)定輸出電流。

2. **電機驅(qū)動**
  - 在電機驅(qū)動應用中,IRLR7807ZTRPBF-VB 的高電流處理能力使其適合用作電機控制電路中的開關元件。無論是電動工具還是電動汽車驅(qū)動系統(tǒng),這款MOSFET 都能夠高效地控制電流,提供穩(wěn)定的驅(qū)動性能和良好的功率效率。

3. **負載開關**
  - 該MOSFET 也適用于各種負載開關應用,例如在家電和工業(yè)控制系統(tǒng)中。其低導通電阻和高電流承載能力使其能夠在低電壓下高效地控制大電流負載,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **過流保護**
  - 在過流保護模塊中,IRLR7807ZTRPBF-VB 可以作為過流保護開關,幫助保護電路免受過流損害。其高電流承載能力和低導通電阻使其能夠快速響應過流情況,提供有效的保護功能。

IRLR7807ZTRPBF-VB 是一款適用于低電壓高電流應用的高性能N溝道MOSFET,憑借其優(yōu)秀的開關性能和低功耗特點,在電源開關、電機驅(qū)動、負載開關和過流保護等多個領域中均表現(xiàn)出色。

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