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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR3802TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR3802TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**IRLR3802TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:**

IRLR3802TRPBF-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,利用先進的 Trench 技術設計。該 MOSFET 具有 20V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵極-源極電壓 (VGS)。其閾值電壓 (Vth) 范圍為 0.5V 到 1.5V,這使得它在低柵極驅(qū)動電壓下仍能保持良好的導電性能。IRLR3802TRPBF-VB 的導通電阻在 VGS = 4.5V 時為 4.5mΩ,在 VGS = 2.5V 時為 6mΩ,能夠承載最大 100A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。其低導通電阻和高電流處理能力使其適用于需要高效率和高功率處理的應用場景。

**詳細參數(shù)說明:**
- **型號:** IRLR3802TRPBF-VB
- **封裝類型:** TO252
- **通道配置:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 0.5V ~ 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 6mΩ @ VGS = 2.5V
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 100A
- **技術:** Trench

**應用領域及實例:**

1. **高效電源開關:**
  IRLR3802TRPBF-VB 的超低導通電阻和高電流能力使其非常適合用作高效電源開關。特別是在高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,這款 MOSFET 能夠顯著降低開關損耗,提高能效,確保系統(tǒng)在高負載條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電動汽車電池管理:**
  在電動汽車(EV)的電池管理系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于電池開關和電流監(jiān)測。其低導通電阻能夠減少電池管理系統(tǒng)的功率損耗,并確保高電流負載下的穩(wěn)定工作,有助于提高電動汽車的效率和續(xù)航能力。

3. **工業(yè)電機驅(qū)動:**
  IRLR3802TRPBF-VB 在工業(yè)電機驅(qū)動應用中表現(xiàn)出色。例如,在工業(yè)自動化和機器人系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于驅(qū)動高電流電機和控制電機啟動/停止。其高電流處理能力和低導通電阻使其能夠應對工業(yè)環(huán)境中的高負載要求,提供高效、可靠的性能。

4. **消費電子設備:**
  在消費電子設備中,例如高功率充電器和電源適配器中,這款 MOSFET 可以作為開關組件,控制電源的輸出。由于其超低導通電阻,它能夠提高電源適配器的能效,減少熱量產(chǎn)生,并延長設備的使用壽命。

IRLR3802TRPBF-VB MOSFET 的低導通電阻和高電流承載能力使其在高效電源開關、電動汽車電池管理、工業(yè)電機驅(qū)動和消費電子設備中表現(xiàn)優(yōu)異,為這些領域提供了高效、可靠的開關解決方案。

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