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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR3717TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR3717TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 120A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介:
IRLR3717TRPBF-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。它利用先進的 Trench 技術,特別適用于要求高開關效率和低導通電阻的應用。該 MOSFET 具有 20V 的漏極-源極耐壓(VDS),適合用于中低電壓電路中。其閾值電壓(Vth)范圍為 0.5V 到 1.5V,能夠在低柵極電壓下實現有效的開關操作。IRLR3717TRPBF-VB 的導通電阻在 2.5V 的柵極電壓下為 3.5mΩ,在 4.5V 的柵極電壓下為 2.5mΩ,支持最大 120A 的漏極電流。這些特性使得該 MOSFET 在需要高電流、低功耗和高開關速度的應用中表現出色。

### 2. 詳細參數說明:
- **型號**: IRLR3717TRPBF-VB
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.5mΩ @ VGS=2.5V
 - 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術**: Trench

### 3. 應用領域和模塊:
- **高效電源轉換器**:IRLR3717TRPBF-VB 的超低導通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效電源轉換器,如 DC-DC 轉換器和電源管理模塊。它能夠減少功率損耗,提高轉換效率,并實現高性能的電源管理。

- **電機驅動電路**:在電機驅動電路中,該 MOSFET 可以用作高效的開關元件,處理高電流負載。由于其低導通電阻,它能夠在電機驅動應用中提供較少的能量損耗,并提高系統的整體效率。

- **自動化控制系統**:IRLR3717TRPBF-VB 適用于各種自動化控制系統中的高電流開關需求,如電動執行器和驅動控制模塊。其高開關速度和低功耗特性確保了系統的響應時間和操作效率。

- **電池管理系統**:在電池管理系統中,該 MOSFET 用于控制充電和放電過程。低導通電阻和高電流能力幫助提高系統的效率,優化電池性能并延長電池壽命。

- **功率調節和保護**:IRLR3717TRPBF-VB 也可用于功率調節和保護電路中,如過流保護和負載開關。它的高開關能力和低導通電阻使其能夠在各種保護電路中實現高效和可靠的性能。

IRLR3717TRPBF-VB 的設計目標是滿足高電流、高開關效率以及低功耗的應用需求,廣泛適用于電源管理、電機驅動、電池管理、自動化控制和功率保護等多個領域。

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