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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR3716-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR3716-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介

**IRLR3716-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,設計用于高電流和低電壓的應用場合。它具有極低的導通電阻,最大漏源電壓(VDS)為20V,柵極驅動電壓范圍為±20V。其閾值電壓(Vth)為0.5~1.5V,導通電阻在2.5V柵極電壓下為6mΩ,在4.5V柵極電壓下為4.5mΩ,能夠支持高達100A的漏極電流。IRLR3716-VB 使用Trench技術,以提供卓越的開關性能和低功耗特性,特別適用于對電流要求較高的應用。

### 二、詳細參數說明

- **器件型號**: IRLR3716-VB
- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **連續漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench
- **最大功耗**: 2.5W(取決于散熱條件)
- **最大結溫 (Tj)**: 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 55nC
- **開關延遲時間**:
 - 上升時間 (tr): 35ns
 - 下降時間 (tf): 45ns

### 三、適用領域和模塊

**IRLR3716-VB** 的優異性能使其在多個高電流和低電壓應用中具有廣泛的適用性:

1. **高效電源管理**:在高效電源管理系統中,如DC-DC轉換器和電源開關,該MOSFET 的低導通電阻和高電流承受能力能夠顯著降低功耗,提高效率。它適合用于計算機電源、工業電源模塊及各種高效電源解決方案。

2. **電機控制**:IRLR3716-VB 在電機驅動應用中表現出色,能夠處理高電流的需求而保持低功耗。它適用于直流電機驅動、步進電機控制和其他需要高電流開關的電機控制系統。

3. **汽車電子**:在汽車電子應用中,如電動窗、座椅調節和其他電力驅動系統,IRLR3716-VB 提供穩定的開關性能和高電流承受能力。其低導通電阻確保了較低的功耗和更高的系統效率。

4. **LED驅動**:該MOSFET 適用于LED驅動應用,能夠在低電壓下提供高電流支持。它適合用于高亮度LED照明系統中,確保穩定的亮度輸出和長壽命。

5. **高功率開關**:在需要高電流開關的場景中,如電池管理系統和高功率開關電路,IRLR3716-VB 提供了理想的解決方案。其高電流能力和低導通電阻使其能夠有效地控制高功率負載。

總之,IRLR3716-VB 以其低導通電阻、高電流承載能力和高效的開關性能,在高效電源管理、電機控制、汽車電子、LED驅動和高功率開關等應用中表現突出。其設計旨在滿足這些領域對高電流和低功耗的需求,為各種電子系統提供了高效、可靠的解決方案。

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