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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR3715CPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR3715CPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### IRLR3715CPBF-VB MOSFET 產品簡介

IRLR3715CPBF-VB 是一款高性能N溝道功率MOSFET,封裝為TO252。該MOSFET 設計用于高電流和低導通電阻的應用,具有20V的最大漏源電壓(VDS)和高達100A的最大漏極電流(ID)。其閾值電壓(Vth)范圍為0.5至1.5V,使其適用于低柵源電壓應用。IRLR3715CPBF-VB 采用Trench技術,具有極低的導通電阻,能夠有效減少功率損耗并提高系統的效率,適合用于各種高電流的開關應用。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252
- **通道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術類型**: Trench技術
- **最大功耗**: 依據具體散熱設計,功耗應根據實際應用場景進行管理。
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C

### 應用領域及模塊

1. **高電流負載開關**: IRLR3715CPBF-VB 適用于需要高電流處理的負載開關應用。由于其高達100A的漏極電流能力和低導通電阻,它能夠高效地開關高電流負載,如電機驅動、電源開關和大功率繼電器驅動。

2. **電源管理和DC-DC轉換器**: 在電源管理和DC-DC轉換器中,該MOSFET 的低導通電阻和高電流能力能夠有效提高電源轉換效率,減少功耗和熱量。適用于高效的電源管理解決方案。

3. **LED驅動電路**: IRLR3715CPBF-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其適用于高功率LED驅動電路。在LED驅動中,它能保持高效的亮度輸出和系統穩定性。

4. **汽車電子系統**: 該MOSFET 在汽車電子系統中同樣表現優異。它可以用于電池管理、電力分配和電動窗控制等應用,其高電流能力和低導通電阻確保了汽車電氣系統的穩定性和可靠性。

5. **工業控制和自動化**: 在工業控制和自動化應用中,IRLR3715CPBF-VB 的高電流處理能力使其非常適合用于電機控制和其他高電流負載的開關。其優異的熱管理和開關性能提高了工業設備的工作效率和可靠性。

總之,IRLR3715CPBF-VB 是一款高電流、低導通電阻的N溝道MOSFET,適用于各種高電流負載開關、電源管理、LED驅動、汽車電子和工業控制等領域。其優異的開關性能和熱管理使其在這些應用場合中能夠提供穩定和高效的性能。

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