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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRLR3714ZPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRLR3714ZPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IRLR3714ZPBF-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。這款 MOSFET 利用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),設(shè)計(jì)用于中低電壓應(yīng)用。它的漏極-源極耐壓(VDS)為 30V,適用于需要高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的場(chǎng)景。柵極-源極耐壓(VGS)為 ±20V,提供了良好的柵極驅(qū)動(dòng)靈活性。IRLR3714ZPBF-VB 的閾值電壓(Vth)為 1.7V,導(dǎo)通電阻在 4.5V 柵極電壓下為 9mΩ,在 10V 柵極電壓下為 7mΩ,支持最大 70A 的漏極電流。這些特性使得該 MOSFET 在需要高電流和高開(kāi)關(guān)效率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **型號(hào)**: IRLR3714ZPBF-VB
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**:IRLR3714ZPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于電源管理系統(tǒng),如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開(kāi)關(guān)。它能有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率,并在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中提供穩(wěn)定的性能。

- **電動(dòng)控制系統(tǒng)**:在電動(dòng)控制系統(tǒng)中,例如電動(dòng)窗戶、電動(dòng)座椅調(diào)節(jié)器和電動(dòng)工具,IRLR3714ZPBF-VB 可作為功率開(kāi)關(guān)或驅(qū)動(dòng) MOSFET。它的高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻能夠滿足對(duì)響應(yīng)速度和電流處理能力的要求。

- **汽車電子**:IRLR3714ZPBF-VB 適用于汽車電子系統(tǒng)中的高電流應(yīng)用,如電動(dòng)窗戶、電動(dòng)座椅和燈光控制。它的低導(dǎo)通電阻能夠提高電池使用效率,減少功耗,并提升系統(tǒng)的整體性能。

- **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用中,IRLR3714ZPBF-VB 可用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)和控制高功率負(fù)載。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理高功率要求,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

- **充電系統(tǒng)**:在電池充電器和其他充電系統(tǒng)中,IRLR3714ZPBF-VB 作為開(kāi)關(guān)元件可以幫助實(shí)現(xiàn)高效充電,提供穩(wěn)健的電流控制和保護(hù)功能。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能有效提高充電效率并保護(hù)電池免受過(guò)流影響。

IRLR3714ZPBF-VB 的高電流能力、低導(dǎo)通電阻和中等漏極-源極耐壓使其在電源管理、電動(dòng)控制系統(tǒng)、汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化以及充電系統(tǒng)中具有廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,確保系統(tǒng)在高效能和可靠性方面的表現(xiàn)。

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