--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IRLR3714TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRLR3714TRPBF-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝為TO252。該MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力,使其非常適合用于要求高效率和高電流處理的應(yīng)用。IRLR3714TRPBF-VB 的漏源極電壓(VDS)為30V,最大漏極電流(ID)為70A,柵源極電壓(VGS)額定為±20V。該MOSFET 采用Trench(溝槽)技術(shù),以提供出色的電流控制和效率。在VGS 為4.5V 時(shí)導(dǎo)通電阻為9mΩ,而在VGS 為10V 時(shí)導(dǎo)通電阻為7mΩ,確保在高電流負(fù)載下低功耗運(yùn)行。
### IRLR3714TRPBF-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **器件類型**:N溝道MOSFET
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)瓮ǖ?br>- **漏源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:Trench溝槽技術(shù)
- **功耗**:低功耗,適合高電流應(yīng)用
- **熱阻**:優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì),有助于有效的熱管理,提升器件穩(wěn)定性
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高效電源開(kāi)關(guān)**:IRLR3714TRPBF-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,非常適合用于高效電源開(kāi)關(guān)。例如,在開(kāi)關(guān)電源模塊中,該MOSFET 能夠有效控制電源開(kāi)關(guān),減少功耗,提高系統(tǒng)效率。
2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:該MOSFET 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中可以提供穩(wěn)定的電流控制。其低導(dǎo)通電阻有助于降低轉(zhuǎn)換器的能量損耗,提高整體效率,適合于高功率和高效率的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:IRLR3714TRPBF-VB 適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),如電動(dòng)工具和汽車電機(jī)控制。其高電流處理能力可以支持大電流負(fù)載,確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)的穩(wěn)定性和可靠性。
4. **LED照明**:在LED照明系統(tǒng)中,這款MOSFET 可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)控制LED的電流。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使得LED照明系統(tǒng)能夠更高效地運(yùn)行,提高亮度和可靠性。
5. **汽車電子**:在汽車電子設(shè)備中,IRLR3714TRPBF-VB 可以用于電源開(kāi)關(guān)和電流控制應(yīng)用。例如,在車載電源管理系統(tǒng)中,MOSFET 可以實(shí)現(xiàn)高效的電流控制和開(kāi)關(guān)功能,適用于車載電子設(shè)備的電源控制。
IRLR3714TRPBF-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其在這些應(yīng)用中表現(xiàn)出色,是處理中等電壓和高電流負(fù)載的理想選擇。
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