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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR3114ZTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR3114ZTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### IRLR3114ZTRPBF-VB MOSFET 產品簡介

IRLR3114ZTRPBF-VB 是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝。它專為需要高電流和低導通電阻的應用設計,具有40V的最大漏源電壓(VDS)和最大85A的漏極電流(ID)。該MOSFET 的閾值電壓(Vth)為2.5V,提供了低導通電阻,使其在高電流應用中能夠有效減少功耗和發熱。IRLR3114ZTRPBF-VB 采用先進的Trench技術,提供了優秀的開關性能和熱管理,適合用于各種需要高效電流控制的場合。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252
- **通道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術類型**: Trench技術
- **最大功耗**: 依據具體散熱設計,功耗應根據實際應用場景進行管理。
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C

### 應用領域及模塊

1. **電源管理和轉換器**: IRLR3114ZTRPBF-VB 在電源管理和DC-DC轉換器應用中表現出色。其低導通電阻和高漏極電流能力使其能夠高效地管理電流,并提高電源轉換效率,減少功率損耗和發熱。

2. **負載開關**: 由于其高電流處理能力,該MOSFET 適用于各種負載開關應用,包括電機驅動、電源開關和繼電器驅動。其低RDS(ON)確保了高效的負載控制和可靠性。

3. **LED驅動**: 在LED驅動電路中,IRLR3114ZTRPBF-VB 的高電流能力和低導通電阻有助于穩定LED的亮度并提高系統的效率。其優異的開關性能減少了開關損耗,確保LED驅動電路的穩定運行。

4. **汽車電子系統**: 在汽車電子應用中,如電池管理、電力分配和電動窗控制,IRLR3114ZTRPBF-VB 提供了高電流和低電阻的開關解決方案,能夠應對汽車環境中的各種電氣負載需求。

5. **工業控制和自動化**: 在工業控制和自動化系統中,IRLR3114ZTRPBF-VB 可用于驅動高電流負載和控制電機。其高電流處理能力和優秀的熱管理使其在工業應用中提供穩定的性能。

總之,IRLR3114ZTRPBF-VB 是一款高電流、高效能的N溝道MOSFET,其低導通電阻和優異的開關性能使其在電源管理、負載開關、LED驅動、汽車電子系統和工業控制等領域中都能提供卓越的表現。

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