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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR230ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR230ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### IRLR230ATM-VB MOSFET 產品簡介

IRLR230ATM-VB 是一款高耐壓N溝道功率MOSFET,封裝為TO252。它設計用于需要高電壓耐受能力的應用場景,具備200V的最大漏源電壓(VDS)。該MOSFET 具有最大漏極電流10A,并支持柵源電壓(VGS)為±20V。IRLR230ATM-VB 的導通電阻在VGS=10V時為245mΩ,這使其在高電壓應用中保持良好的開關性能和可靠的功率管理。采用Trench技術,該MOSFET 提供了優異的電流承載能力和熱管理特性,適合各種需要高耐壓和中等電流的應用場合。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252
- **通道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 245mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術類型**: Trench技術
- **最大功耗**: 依據具體散熱設計,功耗應根據實際應用場景進行管理。
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C

### 應用領域及模塊

1. **高壓電源管理**: IRLR230ATM-VB 在高壓電源管理系統中非常適用。由于其200V的高耐壓能力,該MOSFET 可用于高壓DC-DC轉換器、逆變器和電源開關等應用,以保證系統的穩定性和安全性。

2. **電流控制**: 在需要控制高電流負載的應用中,IRLR230ATM-VB 的10A最大漏極電流能力使其適合用于電機驅動、電流開關和繼電器驅動等電流控制模塊。

3. **高電壓負載開關**: 該MOSFET 適用于高電壓負載開關應用,包括開關電源、工業設備中的負載開關等。其高電壓耐受能力和中等電流處理能力使其能夠有效地管理和開關高電壓負載。

4. **汽車電子系統**: 在汽車電子系統中,如電池管理和電力分配系統,IRLR230ATM-VB 提供了高耐壓的開關解決方案,適用于需要高電壓保護的汽車電子應用。

5. **工業控制和自動化**: 在工業自動化和控制系統中,IRLR230ATM-VB 可以用來驅動高電壓設備和控制電機。其高電壓和電流處理能力確保了工業設備的穩定和可靠運行。

總之,IRLR230ATM-VB 是一款適用于高電壓和中等電流應用的N溝道MOSFET,其高耐壓能力、合理的導通電阻和優秀的開關性能使其在高壓電源管理、電流控制、高電壓負載開關、汽車電子系統和工業控制等領域中表現出色。

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