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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRLR130TR-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRLR130TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR130TR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRLR130TR-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。它設(shè)計(jì)用于處理中等電壓和電流的應(yīng)用。該MOSFET 支持最高100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),具有1.8V的柵閾值電壓(Vth)。其導(dǎo)通電阻為114mΩ@VGS=10V,最大漏極電流為15A。IRLR130TR-VB 使用了先進(jìn)的Trench(溝槽)技術(shù),提供低導(dǎo)通損耗和優(yōu)良的開關(guān)性能,適合用于各種需要中等電壓和電流的應(yīng)用場(chǎng)合。

### IRLR130TR-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 15A  
- **技術(shù)類型**: Trench(溝槽)技術(shù)  
- **最大功率耗散 (PD)**: 1.6W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  
- **封裝引腳**: 三引腳(Drain, Gate, Source)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**
  - IRLR130TR-VB 在電源管理系統(tǒng)中可作為開關(guān)元件,控制電源路徑和負(fù)載。它在電源適配器、開關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,有助于提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性,確保電源的可靠運(yùn)行。

2. **負(fù)載開關(guān)**
  - 在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,IRLR130TR-VB 可以用來(lái)控制負(fù)載的開關(guān)狀態(tài),如在家用電器、工業(yè)設(shè)備或汽車電子系統(tǒng)中。它的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效地管理負(fù)載,提升設(shè)備的整體可靠性。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
  - IRLR130TR-VB 適合用于中功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。它可以作為電機(jī)控制系統(tǒng)中的開關(guān)元件,幫助實(shí)現(xiàn)電機(jī)的啟停和調(diào)速,在電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車和家電中的電機(jī)控制中提供高效的開關(guān)操作。

4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
  - 在DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,IRLR130TR-VB 作為開關(guān)元件,能夠有效地完成電壓轉(zhuǎn)換任務(wù)。它的低導(dǎo)通電阻和較高電流處理能力使其非常適合用于電源管理模塊和電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng),保證穩(wěn)定的電壓輸出和高效的功率轉(zhuǎn)換。

IRLR130TR-VB 是一款高效、可靠的N溝道MOSFET,適用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用場(chǎng)景。憑借其卓越的開關(guān)性能和高電流處理能力,它在各種電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。

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