--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IRLR120ATF-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝。該 MOSFET 采用了 Trench 技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,非常適合高效能的開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用。其額定漏源電壓(V_DS)為 100V,柵源電壓(V_GS)為 ±20V,能在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下提供良好的導(dǎo)通特性。具有 114mΩ 的導(dǎo)通電阻(R_DS(ON)@V_GS=10V),并且最大漏極電流(I_D)為 15A,適用于需要高電流和高耐壓的電路設(shè)計(jì)。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)?N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**:100V
- **柵源電壓 (V_GS)**:±20V
- **閾值電壓 (V_th)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:114mΩ @ V_GS=10V
- **最大漏極電流 (I_D)**:15A
- **技術(shù)**:Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**IRLR120ATF-VB** 的特點(diǎn)使其適用于多種領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理**:
- 該 MOSFET 能夠在電源開(kāi)關(guān)、電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)中提供高效的電流控制。它的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源供應(yīng)模塊以及其他電源管理應(yīng)用。
2. **功率開(kāi)關(guān)**:
- 在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等,該 MOSFET 能夠有效控制高電流負(fù)載。它的高耐壓和高電流特性使其適用于各種工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品中的功率開(kāi)關(guān)需求。
3. **汽車電子**:
- 在汽車電子系統(tǒng)中,例如電動(dòng)窗、座椅調(diào)節(jié)器和電池管理系統(tǒng)中,IRLR120ATF-VB 能夠提供可靠的開(kāi)關(guān)和保護(hù)功能。它的高耐壓和良好的溫度特性能夠應(yīng)對(duì)汽車環(huán)境下的嚴(yán)苛條件。
4. **消費(fèi)電子**:
- 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如便攜式設(shè)備和家用電器,MOSFET 的低導(dǎo)通電阻能夠有效提升能效,降低能量損失。特別是在低功耗電子設(shè)備中,這種 MOSFET 能夠有效提高設(shè)備的整體性能和可靠性。
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