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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR110TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR110TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR110TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
IRLR110TRPBF-VB 是一款高效的單N溝道功率MOSFET,封裝為TO252。此MOSFET 設(shè)計用于處理中等電壓和電流應(yīng)用,其漏源極電壓(VDS)為100V,最大漏極電流為15A。柵源極電壓(VGS)額定為±20V。IRLR110TRPBF-VB 使用Trench(溝槽)技術(shù),提供了適中的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS為10V時為114mΩ。該MOSFET 是對電源開關(guān)和電流控制應(yīng)用的理想選擇,適合多種電子設(shè)備和電路設(shè)計。

### IRLR110TRPBF-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **器件類型**:N溝道MOSFET
- **封裝**:TO252
- **配置**:單通道
- **漏源極電壓 (VDS)**:100V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 114mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:15A
- **技術(shù)**:Trench溝槽技術(shù)
- **功耗**:適中的功耗,適合多種應(yīng)用
- **熱阻**:優(yōu)化的封裝設(shè)計有助于熱管理,提高設(shè)備的可靠性

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源開關(guān)**:IRLR110TRPBF-VB 的高漏源極電壓和適中的導(dǎo)通電阻使其適用于電源開關(guān)應(yīng)用,如電源管理模塊和開關(guān)電源。其良好的電流處理能力可以確保電源開關(guān)的高效和可靠性。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,該MOSFET 能夠有效地控制電流和減少功耗,其適中的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其成為高效電源轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)的理想選擇。

3. **小型電機驅(qū)動**:IRLR110TRPBF-VB 適用于驅(qū)動小型電機,如風(fēng)扇、電動工具和其他家用電器中的電機。其較高的漏極電流能力能夠支持電機的穩(wěn)定運行。

4. **LED照明**:在LED驅(qū)動應(yīng)用中,該MOSFET 提供了穩(wěn)定的開關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻,有助于提高LED的能效和亮度,適合用于各種LED照明系統(tǒng)。

5. **汽車電子**:IRLR110TRPBF-VB 也適用于汽車電子設(shè)備,如車載電源管理系統(tǒng)和照明控制。其高電壓和電流處理能力確保了在汽車環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性。

IRLR110TRPBF-VB 的高性能和可靠性使其在這些應(yīng)用領(lǐng)域中提供了有效的電流控制和開關(guān)功能,是處理中等電壓和電流應(yīng)用的理想選擇。

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