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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR110PBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR110PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介

**IRLR110PBF-VB** 是一款高效能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓應用設計。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為100V,柵極驅動電壓范圍為±20V,閾值電壓(Vth)為1.8V。在10V的柵極驅動電壓下,其導通電阻為114mΩ,支持最大15A的漏極電流。IRLR110PBF-VB 采用Trench技術,具有良好的開關性能和較低的導通電阻,適用于要求較高電壓和中等電流的應用場合。

### 二、詳細參數說明

- **器件型號**: IRLR110PBF-VB
- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 114mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術**: Trench
- **最大功耗**: 2.5W(取決于散熱條件)
- **最大結溫 (Tj)**: 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 55nC
- **開關延遲時間**:
 - 上升時間 (tr): 70ns
 - 下降時間 (tf): 50ns

### 三、適用領域和模塊

**IRLR110PBF-VB** 因其高電壓耐受性和較低的導通電阻,廣泛應用于多種需要中等電流和高電壓的電子設備和電源管理系統中:

1. **開關電源 (SMPS)**:在開關模式電源中,IRLR110PBF-VB 能夠處理較高的電壓并有效地進行開關操作。其較低的導通電阻有助于提高電源效率并減少功耗,適用于各種電源轉換應用,如AC-DC適配器和DC-DC轉換器。

2. **電機驅動**:在電機驅動電路中,IRLR110PBF-VB 可以用于控制電機的開關操作,特別是在需要中等電流和高電壓的電機驅動應用中。它適用于各種小型電動工具、電動車和家用電器中的電機控制。

3. **功率放大器**:由于其能夠處理高電壓,IRLR110PBF-VB 可以用于功率放大器電路中。它可以作為開關元件,幫助控制功率輸出并優化放大器的性能。

4. **汽車電子**:在汽車電子系統中,如電源管理和負載開關,IRLR110PBF-VB 能夠處理高電壓,并具備良好的耐用性和可靠性。它適用于汽車照明系統、車載電池管理和電動門窗控制等應用。

5. **通信設備**:在通信設備中,IRLR110PBF-VB 的高電壓耐受性和開關性能使其適合用于電源管理和負載開關。它能夠在高電壓環境下穩定工作,確保通信設備的穩定性和可靠性。

總之,IRLR110PBF-VB 的高電壓能力和適中的導通電阻使其在開關電源、電機驅動、功率放大器、汽車電子和通信設備等領域中表現出色。它能夠滿足各種高電壓和中等電流的應用需求,為這些領域的電子設計提供可靠的解決方案。

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