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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRLR110ATRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRLR110ATRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRLR110ATRPBF-VB是一款單N溝道(Single-N-Channel)MOSFET,封裝為T(mén)O252。該MOSFET具有100V的漏源電壓(VDS)和15A的漏極電流(ID),設(shè)計(jì)用于中等電壓和電流的應(yīng)用。其柵極閾值電壓(Vth)為1.8V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為114mΩ(@VGS=10V),采用Trench技術(shù)。IRLR110ATRPBF-VB的高電流處理能力和適中的導(dǎo)通電阻,使其在各種功率管理和開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓(Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:15A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
- **功耗**:適合中等功率應(yīng)用
- **開(kāi)關(guān)速度**:適合中頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用
- **熱管理**:TO252封裝提供了良好的散熱能力,適用于較高功率的應(yīng)用

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理系統(tǒng)**:IRLR110ATRPBF-VB在電源管理系統(tǒng)中非常合適,尤其是在需要處理較高電壓和電流的電源轉(zhuǎn)換模塊中。它的100V漏源電壓能力和15A的漏極電流使其能夠穩(wěn)定控制高功率電源,適合用于電池管理系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和其他電源管理應(yīng)用。

2. **電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力車(chē)**:在電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力車(chē)中,這款MOSFET可用于高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換模塊。其高電流處理能力和中等導(dǎo)通電阻有助于實(shí)現(xiàn)高效的電力傳輸和電機(jī)控制,提升車(chē)輛的整體性能和能效。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,IRLR110ATRPBF-VB的高電壓耐受能力和較高的漏極電流允許它在控制大功率電機(jī)時(shí)表現(xiàn)出色。它適合用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開(kāi)關(guān)元件,保證電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效控制。

4. **開(kāi)關(guān)電源和功率轉(zhuǎn)換器**:該MOSFET還適用于開(kāi)關(guān)電源和功率轉(zhuǎn)換器中的高電壓開(kāi)關(guān)功能。它的Trench技術(shù)確保了低功耗和高效率,適合用于需要高電壓、高電流處理的功率轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)電路。

總結(jié)來(lái)說(shuō),IRLR110ATRPBF-VB以其高電壓耐受能力、適中的導(dǎo)通電阻和良好的散熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電動(dòng)汽車(chē)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域,滿足了高電壓和中等功率應(yīng)用的需求。

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