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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLR024TRLPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRLR024TRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRLR024TRLPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRLR024TRLPBF-VB 是一款高效能的 N 溝道 MOSFET,采用耐用的 TO-252 封裝,設計用于處理中等電壓和電流應用。其最大漏源電壓 (VDS) 為 60V,柵極驅(qū)動電壓 (VGS) 為 ±20V。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,確保在較低的柵極電壓下即可實現(xiàn)高效開關(guān)。IRLR024TRLPBF-VB 的導通電阻 (RDS(ON)) 在 4.5V 柵極電壓下為 85mΩ,在 10V 柵極電壓下為 73mΩ,能夠支持最大連續(xù)漏極電流 (ID) 達 18A。它使用 Trench 技術(shù)提供了卓越的開關(guān)性能和低功耗特性,使其成為多種功率控制和開關(guān)應用的理想選擇。

### IRLR024TRLPBF-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-252
- **溝道配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**: 18A
- **功耗 (PD)**: 2W(估算,取決于散熱條件)
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)
- **開關(guān)頻率**: 適用于高頻開關(guān)應用
- **結(jié)溫范圍**: -55°C 至 +150°C

### 應用領域與模塊

1. **電源開關(guān)**  
  IRLR024TRLPBF-VB 的低導通電阻和較高的電流處理能力使其適合用于電源開關(guān)應用。它可以高效地控制電源的開啟和關(guān)閉,優(yōu)化電源管理并減少功率損耗,適用于各種電源轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓電路。

2. **電機驅(qū)動**  
  在電機驅(qū)動系統(tǒng)中,IRLR024TRLPBF-VB 能夠穩(wěn)定地控制電機的啟動、停止和調(diào)速。其良好的開關(guān)性能和低 RDS(ON) 確保電機驅(qū)動電路的高效和穩(wěn)定運行,適合于工業(yè)和汽車應用中的電機控制。

3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  IRLR024TRLPBF-VB 適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,作為開關(guān)元件提高轉(zhuǎn)換效率。它的低導通電阻減少了轉(zhuǎn)換損耗,提高了轉(zhuǎn)換器的總體能效,適合于計算機電源、通信設備和消費電子產(chǎn)品中。

4. **負載開關(guān)**  
  在各種負載開關(guān)應用中,IRLR024TRLPBF-VB 可以用來控制負載的連接和斷開。其高電流處理能力和低功耗特性使其適合用于開關(guān)電池、LED 照明和其他負載控制電路。

5. **汽車電子**  
  IRLR024TRLPBF-VB 可用于汽車電子系統(tǒng)中的功率管理應用,包括車載電源、燈光控制和電動窗戶等。其可靠的開關(guān)性能和高效的電流處理能力提高了汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。

IRLR024TRLPBF-VB 的高效性能、小巧封裝和優(yōu)異的導通特性使其在電源管理、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等應用中表現(xiàn)突出,為各種功率控制需求提供了穩(wěn)定和高效的解決方案。

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