--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### IRLR024NTR-VB MOSFET 產品簡介
IRLR024NTR-VB 是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,適用于中等電壓和電流應用。該MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)為±20V,支持最大漏極電流18A。IRLR024NTR-VB 的導通電阻在VGS=4.5V時為85mΩ,VGS=10V時為73mΩ,能夠有效降低功率損耗和熱量產生。其Trench技術確保了優異的開關性能和高效的熱管理,使其適合于各種需要高可靠性和高效能的應用場合。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO252
- **通道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術類型**: Trench技術
- **最大功耗**: 依據具體散熱設計,功耗應根據實際應用場景進行管理。
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
### 應用領域及模塊
1. **電源管理和轉換器**: IRLR024NTR-VB 在電源管理和轉換器中表現優異。其低導通電阻和中等電流處理能力使其適用于DC-DC轉換器、電源開關以及其他電源管理應用,提供高效的功率轉換和低功耗性能。
2. **負載開關**: 該MOSFET 適用于各種負載開關應用,包括電機驅動和功率開關。IRLR024NTR-VB 的高電流處理能力和低功耗特性使其成為控制大電流負載的理想選擇。
3. **LED驅動電路**: 在LED驅動電路中,IRLR024NTR-VB 可以用于開關控制和電流調節。其低導通電阻和良好的開關性能有助于穩定LED光源并提高系統的整體效率。
4. **汽車電子**: 在汽車電子系統中,如電池管理、燈光控制和動力系統,IRLR024NTR-VB 提供了可靠的開關性能和耐用性。其高電流和電壓處理能力適應汽車環境的苛刻條件。
5. **工業控制**: 在工業自動化和控制系統中,該MOSFET 用于驅動繼電器、控制電機和開關電路。其高效的開關性能和耐高溫特性確保了系統的可靠運行和長期穩定性。
總之,IRLR024NTR-VB 是一款適用于中等電壓和電流應用的N溝道MOSFET,其低導通電阻和優異的開關性能使其在電源管理、負載開關、LED驅動、汽車電子和工業控制等領域中表現出色。
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