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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRLR014TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRLR014TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**IRLR014TRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:**

IRLR014TRPBF-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道 MOSFET,利用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)設(shè)計。這款 MOSFET 具備 60V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵極-源極電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 為 1.7V。其導(dǎo)通電阻分別為 85mΩ(在 VGS = 4.5V)和 73mΩ(在 VGS = 10V),支持最大連續(xù)漏極電流 (ID) 為 18A。這使得 IRLR014TRPBF-VB 特別適合用于中等電壓和電流要求的應(yīng)用。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **型號:** IRLR014TRPBF-VB
- **封裝類型:** TO252
- **通道配置:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 18A
- **技術(shù):** Trench

**應(yīng)用領(lǐng)域及實例:**

1. **電源管理:**
  IRLR014TRPBF-VB 在電源管理模塊中表現(xiàn)出色,尤其是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)中。其較低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力能夠有效提高電源轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,適用于各種電子設(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。

2. **負(fù)載開關(guān):**
  這款 MOSFET 可以用作負(fù)載開關(guān),例如在家電、工業(yè)設(shè)備或汽車電子系統(tǒng)中控制負(fù)載開關(guān)。其較高的電流承載能力和適中的導(dǎo)通電阻使其能夠穩(wěn)定地開關(guān)負(fù)載,適合用于需要可靠負(fù)載開關(guān)的場景。

3. **汽車電子:**
  在汽車電子系統(tǒng)中,IRLR014TRPBF-VB 可用于中等功率的開關(guān)應(yīng)用,如電動窗、中央鎖和照明系統(tǒng)。它能夠在汽車環(huán)境中提供可靠的電流控制,確保系統(tǒng)的正常運(yùn)行和較長的使用壽命。

4. **工業(yè)控制:**
  在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,這款 MOSFET 適用于驅(qū)動電動機(jī)、繼電器和其他負(fù)載。其高電流承載能力和適中的導(dǎo)通電阻使其能夠滿足工業(yè)控制系統(tǒng)中對開關(guān)性能的要求,提高系統(tǒng)的整體效率。

IRLR014TRPBF-VB MOSFET 憑借其優(yōu)越的電氣性能和 TO252 封裝,成為電源管理、負(fù)載開關(guān)、汽車電子和工業(yè)控制領(lǐng)域的理想選擇,為這些應(yīng)用提供了穩(wěn)定、高效的開關(guān)解決方案。

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