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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR9N20DTRL-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR9N20DTRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR9N20DTRL-VB產(chǎn)品簡介
IRFR9N20DTRL-VB 是一款N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù),專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。它具有最大漏源電壓(VDS)為200V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,最大漏極電流(ID)為10A。該MOSFET在VGS=10V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為245mΩ。封裝形式為TO252(DPAK),適用于需要高電壓和中等電流的開關(guān)和控制應(yīng)用。

### 二、IRFR9N20DTRL-VB詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252(DPAK)
- **極性**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:200V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:245mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:10A
- **功耗 (Pd)**:55W
- **最大結(jié)溫 (Tj)**:+175°C
- **工作模式**:增強模式
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:IRFR9N20DTRL-VB 在高電壓開關(guān)電源應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。其200V的漏源電壓使其適合于AC-DC轉(zhuǎn)換器和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中,處理高電壓輸入和輸出時的開關(guān)操作。

2. **電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)**:在電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)中,該MOSFET可用于高電壓電流的開關(guān)控制,如電動機驅(qū)動電路。它的高耐壓特性能夠滿足電動汽車對高電壓的需求,同時提供穩(wěn)定的電流控制。

3. **工業(yè)電機控制**:IRFR9N20DTRL-VB 在工業(yè)自動化設(shè)備的電機控制模塊中用于高電壓電機開關(guān)和控制。它的高電壓承受能力和可靠的開關(guān)性能確保了電機的穩(wěn)定運行和有效控制。

4. **LED照明**:該MOSFET也適用于高電壓LED驅(qū)動電路中,可以在高電壓環(huán)境下提供穩(wěn)定的開關(guān)控制,確保LED的高效運行和長壽命。它的低導(dǎo)通電阻幫助減少功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

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