--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IRFR9N20DPBF-VB是一款N溝道功率MOSFET,封裝為TO252。該器件采用Trench技術(shù),具備200V的高擊穿電壓和10A的高漏極電流能力,適合用于高壓應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)和功率管理。其低導(dǎo)通電阻和較高的VDS能力使其在需要高效、高可靠性的電源控制和開(kāi)關(guān)操作的場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)異。
### 2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類型**:TO252(DPAK)
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **擊穿電壓(VDS)**:200V
- **柵極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:245mΩ@VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:10A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
### 3. 適用領(lǐng)域和模塊舉例:
- **高壓電源管理**:IRFR9N20DPBF-VB適用于高壓電源系統(tǒng),如AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其200V的擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性,而較低的導(dǎo)通電阻幫助減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
- **電機(jī)控制**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,如工業(yè)電機(jī)和電動(dòng)汽車電機(jī)控制,IRFR9N20DPBF-VB可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān),提供可靠的高電壓開(kāi)關(guān)能力和高電流承載能力,以確保電機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
- **汽車電子**:該MOSFET在汽車電子系統(tǒng)中用于高壓電池管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等模塊。其高擊穿電壓和導(dǎo)通電阻特性適合處理汽車中的高電壓和高功率需求,提供安全、穩(wěn)定的電源控制。
- **工業(yè)應(yīng)用**:在工業(yè)控制和自動(dòng)化設(shè)備中,IRFR9N20DPBF-VB能夠應(yīng)用于高電壓開(kāi)關(guān)和功率控制電路中,提供高效的電力管理,確保設(shè)備的可靠性和長(zhǎng)壽命。
IRFR9N20DPBF-VB憑借其優(yōu)越的高壓性能和高電流處理能力,廣泛應(yīng)用于需要高效率和可靠性的電源管理和控制系統(tǒng)中。
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