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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR9014N-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: IRFR9014N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IRFR9014N-VB產品簡介
IRFR9014N-VB 是一款高性能P溝道MOSFET,采用Trench技術制造,具有優異的開關特性和低導通電阻。它的最大漏源電壓(VDS)為-60V,柵源電壓(VGS)為±20V,最大漏極電流(ID)為-30A。IRFR9014N-VB 在VGS=4.5V時的導通電阻為72mΩ,在VGS=10V時為61mΩ。這款MOSFET封裝在TO252(DPAK)中,適用于高電壓和高電流的開關應用。

### 二、IRFR9014N-VB詳細參數說明
- **封裝類型**:TO252(DPAK)
- **極性**:單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:-60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 72mΩ @ VGS=4.5V
 - 61mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:-30A
- **功耗 (Pd)**:45W
- **最大結溫 (Tj)**:+175°C
- **工作模式**:增強模式
- **技術**:Trench技術

### 三、應用領域和模塊舉例
1. **電源管理**:IRFR9014N-VB 可以作為電源管理系統中的負載開關,特別是在需要高電流和高電壓控制的場合。它的低導通電阻有助于降低功率損耗,提高系統效率,適用于開關電源和電池管理系統。

2. **電動汽車(EV)**:在電動汽車的電池保護電路中,該MOSFET 能夠提供穩定的反向電流保護和電流控制。其高電流承載能力和低RDS(ON)特性確保了電池系統的安全和高效運行。

3. **工業設備**:在工業自動化設備中,IRFR9014N-VB 可用于高電流開關和負載控制。它能夠處理高達30A的電流,并在高達-60V的電壓下穩定工作,適合用于電機控制和高功率負載切換。

4. **家用電器**:該MOSFET 在家用電器中的應用包括開關電源和電機驅動。例如,在家用電器的電源管理中,IRFR9014N-VB 可作為高效的開關元件,提高電器的性能和可靠性。

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