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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR6216PBF-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR6216PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -150V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID -15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR6216PBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRFR6216PBF-VB 是一款**P-Channel MOSFET**,設(shè)計(jì)用于高功率開關(guān)應(yīng)用。它采用了**Trench 技術(shù)**,提高了效率并降低了導(dǎo)通電阻。該器件采用**TO252**封裝,具有**-150V**的**VDS(漏極-源極電壓)**、±20V的**VGS(柵極-源極電壓)**和**-2V**的**Vth(閾值電壓)**。其**RDS(ON)**在VGS=10V時(shí)為**160mΩ**,**ID**為**-15A**,適用于需要高功率處理和快速開關(guān)的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **配置**: 單個(gè) P-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -150V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -15A
- **技術(shù)**: Trench
- **功耗**: 由于低 RDS(ON),具有高功率處理能力
- **工作溫度**: 通常范圍為 -55°C 到 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 通常較低,確保快速開關(guān)能力

### IRFR6216PBF-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

IRFR6216PBF-VB MOSFET 適用于多種功率相關(guān)應(yīng)用:

1. **電源電路**: 該器件可用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器或開關(guān)電源(SMPS),由于其高電壓和電流開關(guān)能力,能夠高效地處理功率。

2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**: 其高漏極電流能力和低 RDS(ON) 使其適合用于電池保護(hù)電路,特別是在電動(dòng)車輛或能源存儲(chǔ)系統(tǒng)的大型電池組中。

3. **電機(jī)控制模塊**: MOSFET 的快速開關(guān)和高效能量利用使其成為控制小型直流電機(jī)的理想選擇,如在工業(yè)自動(dòng)化或消費(fèi)電子產(chǎn)品中應(yīng)用。

4. **汽車電子**: 由于其高電壓和溫度范圍,這款 MOSFET 可用于汽車電源管理模塊,尤其是用于反向極性保護(hù)或高電壓開關(guān)。

5. **通信設(shè)備**: 其有效管理高電壓功率的能力使其適合用于通信系統(tǒng)中,特別是在功率分配和保護(hù)電路中。

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