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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR430A-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR430A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IRFR430A-VB 產品簡介

IRFR430A-VB 是一款高電壓N溝道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術,封裝在TO252中。它具有650V的漏源電壓(VDS)和較高的耐壓能力,使其非常適合高電壓應用。該MOSFET的柵源電壓(VGS)為±30V,開啟電壓(Vth)為3.5V,導通電阻(RDS(ON))為1000mΩ(@VGS=10V),漏極電流(ID)為5A。IRFR430A-VB的高耐壓和適中的導通電阻,使其在需要高電壓和中等電流的應用中表現出色,確保了開關操作的可靠性和效率。

### 二、IRFR430A-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **最大功耗 (Ptot)**: 90W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**: 155nC @ VGS = 10V
- **輸入電容 (Ciss)**: 3100pF
- **輸出電容 (Coss)**: 500pF
- **反向傳輸電容 (Crss)**: 200pF
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 三、應用領域和模塊示例

IRFR430A-VB 的高電壓能力和適中的導通電阻使其適用于多個領域和模塊,以下是幾個具體應用場景:

1. **電源轉換器**:
  IRFR430A-VB 在高電壓電源轉換器中表現出色,如高壓DC-DC轉換器和開關電源(SMPS)。其650V的耐壓能力和適中的導通電阻使其能夠處理高電壓輸入,同時提供可靠的電流開關和功率轉換能力,確保電源模塊的高效運行和穩定輸出。

2. **工業電機驅動**:
  在工業電機驅動系統中,IRFR430A-VB 可用作高電壓開關。由于其高電壓處理能力和中等導通電阻,這款MOSFET 能夠有效控制高電壓電機的啟動和運行,適用于需要高電壓和中等電流的電機驅動應用,例如電動機控制和泵驅動。

3. **電力開關**:
  在電力開關應用中,IRFR430A-VB 可用作高電壓負載開關,如電力系統中的斷路器或開關設備。其高漏源電壓和良好的開關性能,使其能夠在高電壓環境中提供可靠的負載開關功能,確保電力系統的安全性和穩定性。

4. **高電壓保護**:
  在高電壓保護系統中,如電源過壓保護和電池保護,IRFR430A-VB 可用作保護開關。其高電壓耐受性和適中的導通電阻能夠有效控制電流流動,提供可靠的過電壓保護,保護電池和其他電氣元件免受高電壓沖擊。

5. **汽車電子**:
  在汽車電子應用中,IRFR430A-VB 可以用于高電壓電池開關和電源管理系統。其高電壓能力和可靠的開關性能,適合于處理汽車中的高電壓系統,如電池管理系統和高電壓電源開關,確保系統的穩定性和安全性。

IRFR430A-VB 的高電壓能力和中等導通電阻,使其廣泛應用于高電壓電源轉換、電機驅動、電力開關、高電壓保護和汽車電子等領域,提供高效、可靠的電流控制解決方案。

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