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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR4104TRLPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR4104TRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### IRFR4104TRLPBF-VB 產品簡介

IRFR4104TRLPBF-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝類型為TO252。該MOSFET 具有出色的電流處理能力和低導通電阻,適合用于高效能的開關應用。其漏源電壓(VDS)為40V,柵源電壓(VGS)范圍為±20V,能夠在較寬的柵源電壓范圍內穩定工作。IRFR4104TRLPBF-VB 的閾值電壓(Vth)為2.5V,使其能夠在較低的柵電壓下開始導通,適合各種低電壓控制應用。其在VGS=10V時的導通電阻為5mΩ,在VGS=4.5V時為6mΩ,具有極低的導通電阻,能夠在高電流應用中提供高效的性能。采用Trench技術,IRFR4104TRLPBF-VB 具有優異的開關速度和高效能,適合于對功率和開關速度有較高要求的應用場合。

### IRFR4104TRLPBF-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單N溝道MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:40V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:2.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ(VGS=4.5V)
 - 5mΩ(VGS=10V)
- **最大漏極電流(ID)**:85A
- **技術類型**:Trench(溝槽型)
- **工作溫度范圍**:根據實際應用環境和散熱設計

### 適用領域與模塊

IRFR4104TRLPBF-VB 的低導通電阻和高電流能力使其在以下領域中表現出色:

1. **高效能電源開關**:
  在高效能電源開關應用中,如DC-DC轉換器和開關電源模塊,IRFR4104TRLPBF-VB 的低導通電阻(5mΩ)能夠顯著減少功耗和熱量產生,提高系統整體效率。此外,其高電流處理能力(85A)使其能夠處理較大的負載電流,確保穩定的電源轉換。

2. **電動汽車(EV)應用**:
  在電動汽車系統中,該MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其成為理想的選擇。它可以用于電池管理系統、電機驅動模塊以及高功率電源轉換,這些應用需要高效、可靠的MOSFET 以保證車輛的性能和續航能力。

3. **計算機電源管理**:
  IRFR4104TRLPBF-VB 適合用于計算機電源管理和服務器電源模塊。其低導通電阻和高電流能力使其能夠處理高負載電流并提供穩定的電源,確保計算機系統的高效運行和可靠性。

4. **工業自動化控制**:
  在工業自動化控制系統中,IRFR4104TRLPBF-VB 可以用作電源開關和負載控制。其優異的開關速度和低導通電阻使其適合用于要求高效能和可靠性的工業控制應用,如驅動電機和控制模塊。

5. **通信設備**:
  在通信設備中,該MOSFET 的低導通電阻和高電流處理能力使其適用于功率放大器和電源調節模塊。它能夠提升通信設備的整體性能和功率效率,確保設備在高功率傳輸下穩定運行。

總結來說,IRFR4104TRLPBF-VB MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其在高效能電源開關、電動汽車、電源管理、工業自動化和通信設備等領域中表現出色。其優異的性能使其成為各種高功率和高效率應用中的理想選擇。

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