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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR3505TRLPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR3505TRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR3505TRLPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR3505TRLPBF-VB 是一款高效的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,基于先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。它具有60V的漏源極電壓(VDS),柵源極電壓范圍為±20V,閾值電壓為2.5V。這款MOSFET在VGS=4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻為13mΩ,在VGS=10V時(shí)導(dǎo)通電阻為10mΩ,最大漏極電流為58A。憑借其較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承受能力,IRFR3505TRLPBF-VB 非常適合需要高效率、低損耗的電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

### IRFR3505TRLPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IRFR3505TRLPBF-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 13mΩ@VGS=4.5V
 - 10mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 58A
- **技術(shù)**: Trench
- **功耗**: 通常為較高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**: IRFR3505TRLPBF-VB 非常適合用于電源管理系統(tǒng)中,尤其是DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源分配單元。由于其較低的導(dǎo)通電阻,它能夠減少系統(tǒng)中的功率損耗,提高整體效率,適用于大電流需求的應(yīng)用。

2. **電動(dòng)工具和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**: 在電動(dòng)工具和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,該MOSFET能夠提供強(qiáng)大的電流承受能力和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于電流波動(dòng)較大的電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng),確保設(shè)備在高效運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性。

3. **汽車(chē)電子設(shè)備**: 由于其耐用的設(shè)計(jì)和高電流承載能力,IRFR3505TRLPBF-VB 非常適合用于汽車(chē)電子設(shè)備,如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊和電池管理系統(tǒng),能夠在苛刻的環(huán)境條件下提供可靠性能。

4. **低壓DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用**: 該MOSFET 也適用于低壓DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如電動(dòng)自行車(chē)控制器和家用電器中的電源開(kāi)關(guān)模塊。其高效的導(dǎo)通性能可減少開(kāi)關(guān)中的能量損失,提升產(chǎn)品的使用壽命和能效。

5. **負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路**: IRFR3505TRLPBF-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)和過(guò)流保護(hù)電路中的關(guān)鍵元件,確保系統(tǒng)在電流過(guò)大時(shí)能夠有效地?cái)嚅_(kāi),保護(hù)設(shè)備不受損害。

總之,IRFR3505TRLPBF-VB 是一款非常適合高效能電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電子和低壓DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用的MOSFET。它的高電流承受能力和低損耗使其成為各種需要高效、穩(wěn)定性能應(yīng)用的理想選擇。

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