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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR3412PBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR3412PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IRFR3412PBF-VB 產品簡介

IRFR3412PBF-VB 是一款高性能N溝道MOSFET,采用Trench技術,封裝在TO252外殼中。它的最大漏源電壓(VDS)為100V,設計用于中等電壓開關應用。該MOSFET的開啟電壓(Vth)為1.8V,具有極低的導通電阻(RDS(ON))為18mΩ,在10V的柵源電壓下。其漏極電流(ID)最高可達45A,適合用于高電流和高效率的電源管理應用。IRFR3412PBF-VB 在電源開關、電機驅動和電力轉換等領域具有廣泛應用。

### 二、IRFR3412PBF-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 18mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 45A
- **最大功耗 (Ptot)**: 94W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
- **輸入電容 (Ciss)**: 4000pF
- **輸出電容 (Coss)**: 600pF
- **反向傳輸電容 (Crss)**: 40pF
- **開關時間**: 適用于中高頻率開關應用
- **技術**: Trench技術

### 三、應用領域和模塊示例

IRFR3412PBF-VB 的高電流承載能力和低導通電阻使其在多個領域和模塊中具有廣泛的應用:

1. **電源開關**:
  IRFR3412PBF-VB 由于其100V的漏源電壓和低導通電阻,非常適合用于高效率的電源開關應用。例如,在DC-DC轉換器和開關電源中,它可以作為主要的開關元件,處理電流的開關操作,提高系統的能效和穩定性。

2. **電機驅動**:
  在電機驅動系統中,IRFR3412PBF-VB 可以用作電機控制開關,提供高電流承載能力和低開關損耗。這使得它適用于電機驅動的啟動和調速,確保電機平穩運行并提高效率。

3. **功率轉換器**:
  該MOSFET 也廣泛應用于功率轉換器,例如逆變器和電源適配器。其低導通電阻和高電流能力使其能夠處理大功率的電流和電壓轉換,提高功率轉換的效率和可靠性。

4. **LED驅動**:
  在LED驅動電路中,IRFR3412PBF-VB 可以作為開關元件,控制LED的電流和亮度。高電流能力和低導通電阻使其能夠有效驅動高功率LED,提供穩定的亮度和長壽命。

5. **家用電器**:
  在家用電器中,如電源模塊和控制系統,IRFR3412PBF-VB 能夠處理高電流負載,并提供高效的開關操作。這包括用于電力轉換的電源模塊、電機控制和其他需要高電流開關的應用。

總之,IRFR3412PBF-VB 的低導通電阻、高電流承載能力和寬工作溫度范圍使其在電源開關、電機驅動、功率轉換、LED驅動和家用電器等多個領域中表現出色,適合各種中等電壓和高電流的開關應用。

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