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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR320B-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR320B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IRFR320B-VB 產品簡介

IRFR320B-VB 是一款高電壓 N-溝道 MOSFET,封裝為 TO252。該 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術,具有高達 650V 的漏極-源極電壓(VDS)和 5A 的最大漏極電流(ID)。IRFR320B-VB 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 1000mΩ,適用于需要高電壓和中等電流的應用。這種高電壓 MOSFET 主要用于要求高耐壓和高穩定性的電子電路中。

### 二、IRFR320B-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO252
- **極性**:N-溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:5A
- **技術**:SJ_Multi-EPI(多層 EPI 技術)
- **功耗**:最大 60W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**:典型值 68nC
- **輸入電容 (Ciss)**:700pF
- **反向恢復電荷 (Qrr)**:典型值 20nC
- **典型開關頻率**:高于100kHz

### 三、應用領域與模塊

IRFR320B-VB 的設計使其在多種高電壓和中等電流應用中表現優異,適合以下領域和模塊:

1. **高壓電源開關**
  IRFR320B-VB 在高壓電源開關應用中表現卓越。其 650V 的高電壓耐受能力使其適合用于高壓電源模塊、開關電源(SMPS)以及其他需要高電壓保護的電源系統。這種 MOSFET 能夠高效地處理高電壓切換,確保電源系統的穩定性和可靠性。

2. **電力轉換器**
  在電力轉換器中,IRFR320B-VB 提供了必要的高電壓和中等電流能力。它在 DC-DC 轉換器和 AC-DC 轉換器中使用時,能夠有效地轉換電壓并保持系統高效運作。其導通電阻適中的特點有助于降低功耗并提高系統效率。

3. **電機控制**
  IRFR320B-VB 也適用于電機控制應用,特別是在需要高電壓保護的場景中。盡管其電流能力有限,但它能在高電壓條件下穩定控制電機的啟動和運行,適合用于高壓驅動電機和工業控制系統。

4. **工業電源管理**
  在工業電源管理系統中,IRFR320B-VB 能夠處理高電壓負載,適合用于高壓電池管理系統、電源分配和功率模塊。其高電壓耐受性和穩定性能對于保障工業設備的電力供應和保護具有重要作用。

5. **高壓開關設備**
  IRFR320B-VB 在高壓開關設備中能夠有效處理高電壓負載,適用于各種開關控制系統。其高耐壓特性使其在需要處理高電壓的開關和保護電路中表現穩定,確保設備的可靠性和安全性。

通過上述應用場景,可以看出 IRFR320B-VB 在高電壓和中等電流的應用中具有廣泛的適用性,特別是在電源開關、電力轉換、電機控制和工業電源管理等領域。### 一、IRFR320B-VB 產品簡介

IRFR320B-VB 是一款高電壓 N-溝道 MOSFET,封裝為 TO252。該 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術,具有高達 650V 的漏極-源極電壓(VDS)和 5A 的最大漏極電流(ID)。IRFR320B-VB 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 1000mΩ,適用于需要高電壓和中等電流的應用。這種高電壓 MOSFET 主要用于要求高耐壓和高穩定性的電子電路中。

### 二、IRFR320B-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO252
- **極性**:N-溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:5A
- **技術**:SJ_Multi-EPI(多層 EPI 技術)
- **功耗**:最大 60W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**:典型值 68nC
- **輸入電容 (Ciss)**:700pF
- **反向恢復電荷 (Qrr)**:典型值 20nC
- **典型開關頻率**:高于100kHz

### 三、應用領域與模塊

IRFR320B-VB 的設計使其在多種高電壓和中等電流應用中表現優異,適合以下領域和模塊:

1. **高壓電源開關**
  IRFR320B-VB 在高壓電源開關應用中表現卓越。其 650V 的高電壓耐受能力使其適合用于高壓電源模塊、開關電源(SMPS)以及其他需要高電壓保護的電源系統。這種 MOSFET 能夠高效地處理高電壓切換,確保電源系統的穩定性和可靠性。

2. **電力轉換器**
  在電力轉換器中,IRFR320B-VB 提供了必要的高電壓和中等電流能力。它在 DC-DC 轉換器和 AC-DC 轉換器中使用時,能夠有效地轉換電壓并保持系統高效運作。其導通電阻適中的特點有助于降低功耗并提高系統效率。

3. **電機控制**
  IRFR320B-VB 也適用于電機控制應用,特別是在需要高電壓保護的場景中。盡管其電流能力有限,但它能在高電壓條件下穩定控制電機的啟動和運行,適合用于高壓驅動電機和工業控制系統。

4. **工業電源管理**
  在工業電源管理系統中,IRFR320B-VB 能夠處理高電壓負載,適合用于高壓電池管理系統、電源分配和功率模塊。其高電壓耐受性和穩定性能對于保障工業設備的電力供應和保護具有重要作用。

5. **高壓開關設備**
  IRFR320B-VB 在高壓開關設備中能夠有效處理高電壓負載,適用于各種開關控制系統。其高耐壓特性使其在需要處理高電壓的開關和保護電路中表現穩定,確保設備的可靠性和安全性。

通過上述應用場景,可以看出 IRFR320B-VB 在高電壓和中等電流的應用中具有廣泛的適用性,特別是在電源開關、電力轉換、電機控制和工業電源管理等領域。

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