產品簡介
IRFR310T-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET，封裝形式為 TO252。這款 MOSFET 能夠承受高達 650V 的漏源電壓（VDS），并且具有 ±30V 的柵源電壓（VGS）范圍。它的開啟閾值電壓（Vth）為 3.5V，導通電阻（RDS(ON)）為 2750mΩ（@VGS=4.5V）和 2200mΩ（@VGS=10V），可以處理最大 4A 的漏極電流（ID）。IRFR310T-VB 采用 Plannar 技術，適合用于需要高電壓和穩定性能的應用場景。
詳細參數說明
封裝: TO252
極性: 單一 N 溝道
最大漏源電壓 (VDS): 650V
最大柵源電壓 (VGS): ±30V
開啟閾值電壓 (Vth): 3.5V
導通電阻 (RDS(ON)):
2750mΩ @ VGS=4.5V
2200mΩ @ VGS=10V
最大漏極電流 (ID): 4A
功耗 (Ptot): 80W
工作溫度范圍: -55°C 至 +175°C
技術: Plannar
應用領域與模塊示例
高壓電源開關: IRFR310T-VB 的高漏源電壓（650V）使其非常適合用于高壓電源開關應用，例如在高電壓電源系統中，能夠提供穩定的開關性能和高耐壓能力，確保電源系統的安全和可靠性。
電氣保護電路: 在需要高電壓保護的電路中，如電氣保護模塊和過壓保護電路，IRFR310T-VB 的高耐壓能力和穩定性能能夠有效保護電路免受過壓影響，增加電氣設備的安全性和耐用性。
高壓逆變器: 在高壓逆變器中，IRFR310T-VB 可以用作開關元件，處理高電壓和電流，確保逆變器的高效運行和穩定輸出。其高漏源電壓適合用于太陽能逆變器和其他高壓逆變系統。
工業設備: 在工業設備中，例如高壓電機驅動和工業電源系統，IRFR310T-VB 的高耐壓和高功率處理能力使其能夠可靠地承受高電壓和電流負荷，提高設備的性能和穩定性。
IRFR310T-VB 的高電壓耐受能力和穩定性能，使其在高壓電源開關、電氣保護電路、高壓逆變器以及工業設備等領域得到了廣泛應用，提供了可靠的開關和控制功能
