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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR2703TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR2703TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR2703TRPBF-VB 產(chǎn)品簡介

IRFR2703TRPBF-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)設(shè)計,具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適合高效開關(guān)和控制應(yīng)用。其漏源極電壓 (VDS) 為 30V,最大漏極電流 (ID) 為 70A,適用于要求高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用場景。IRFR2703TRPBF-VB 的開啟電壓 (Vth) 為 1.7V,能夠在較低的柵源極電壓下有效開關(guān),導(dǎo)通電阻在 10V 的柵源極電壓下僅為 7mΩ,提供優(yōu)異的導(dǎo)電性能和開關(guān)效率。

### 二、IRFR2703TRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)  
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V  
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 7mΩ @ VGS=10V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 9mΩ @ VGS=4.5V  
- **漏極電流 (ID)**: 70A  
- **技術(shù)類型**: Trench 技術(shù)  
- **功率耗散**: 由于超低導(dǎo)通電阻,適合高功率密度應(yīng)用,確保高效率和低發(fā)熱量。

### 三、IRFR2703TRPBF-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
  IRFR2703TRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其成為高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的理想選擇。它能夠在高效率轉(zhuǎn)換過程中減少能量損失,廣泛應(yīng)用于電源適配器、計算機電源和通信設(shè)備中的電源管理系統(tǒng)。

2. **電機驅(qū)動**
  該 MOSFET 可以用作電機驅(qū)動電路中的開關(guān)元件,特別是在需要高電流和低功耗的應(yīng)用中。其 70A 的電流能力適合中高功率電機控制,如電動工具、電動車驅(qū)動系統(tǒng)等。

3. **功率開關(guān)**
  在各種功率開關(guān)應(yīng)用中,IRFR2703TRPBF-VB 能夠處理高電流,提供可靠的開關(guān)性能。適用于開關(guān)電源、負(fù)載開關(guān)和過流保護電路,以實現(xiàn)高效的功率管理和系統(tǒng)保護。

4. **電源保護**
  該 MOSFET 適用于電源保護電路,如過電流保護和短路保護。其低導(dǎo)通電阻可以有效減少在保護狀態(tài)下的功耗,保護電源系統(tǒng)免受損害。

5. **照明控制**
  IRFR2703TRPBF-VB 可以用在高功率照明系統(tǒng)中,如 LED 驅(qū)動器和高功率燈具。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻幫助提高系統(tǒng)效率,并延長設(shè)備壽命。

IRFR2703TRPBF-VB 的優(yōu)異性能使其適合各種需要高電流和高效能的電力電子應(yīng)用。

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