--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
- ID 45A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
IRFR2407TRRPBF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252,專為高電流和中電壓應用設計。它具有優異的導通電阻和大電流處理能力。其漏源電壓(VDS)為 100V,漏極電流(ID)高達 45A,導通電阻(RDS(ON))為 18mΩ@VGS=10V。采用 Trench 技術,這款 MOSFET 提供了高效能和可靠性,適用于各種高電流、高頻率的應用場合。
### 詳細參數說明
1. **器件類型**:N 溝道 MOSFET
2. **封裝類型**:TO252
3. **漏源電壓 (VDS)**:100V
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V
5. **開啟電壓 (Vth)**:1.8V
6. **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS=10V
7. **漏極電流 (ID)**:45A
8. **技術類型**:Trench
9. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
### 適用領域和模塊示例
IRFR2407TRRPBF-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其在多個領域和模塊中表現突出:
1. **電源管理**:在電源管理系統中,特別是 DC-DC 轉換器和高效率開關電源(SMPS),IRFR2407TRRPBF-VB 可用于高電流開關,確保在高負載條件下的高效能和低功耗。其低導通電阻有助于減少功率損耗,提升整體系統效率。
2. **電動汽車(EV)**:在電動汽車的電力控制系統中,如電池管理系統和驅動電路,IRFR2407TRRPBF-VB 能夠處理高電流負載,提供穩定的開關性能。其低導通電阻和高電流能力使其成為電動汽車中高功率應用的理想選擇。
3. **工業設備**:在工業設備中,特別是用于電機控制和高功率負載的應用中,IRFR2407TRRPBF-VB 可作為高電流開關元件。其耐高電流能力和低導通電阻使其能夠處理高功率負載,提高設備的整體性能和可靠性。
4. **功率轉換**:在功率轉換設備,如逆變器和變頻器,IRFR2407TRRPBF-VB 提供高效的電流開關能力。其低導通電阻降低了功率轉換過程中的能量損耗,提升了系統的工作效率。
這些應用中,IRFR2407TRRPBF-VB 的高電流處理能力和低功耗特性確保了其在各種高負載、高效率要求的環境下的可靠性和性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12