--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 250V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
- ID 4.5A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IRFR214BTF-VB 產(chǎn)品簡介
IRFR214BTF-VB 是一款高電壓 N-溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,基于先進(jìn)的 Trench 技術(shù)設(shè)計。該 MOSFET 具有 250V 的最大漏極-源極電壓(VDS)和 4.5A 的最大漏極電流(ID)。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 640mΩ,適用于中等電流的高電壓應(yīng)用。IRFR214BTF-VB 主要用于電源管理、開關(guān)控制和其他需要高電壓和中等電流處理的場合。
### 二、IRFR214BTF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252
- **極性**:N-溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:250V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:640mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:4.5A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))
- **功耗**:最大 30W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **柵極電荷 (Qg)**:典型值 80nC
- **輸入電容 (Ciss)**:600pF
- **反向恢復(fù)電荷 (Qrr)**:典型值 25nC
- **典型開關(guān)頻率**:高于50kHz
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
IRFR214BTF-VB 的高電壓處理能力和中等電流能力使其在多個應(yīng)用領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,特別是在需要高電壓和中等電流的場合。以下是其主要應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **電源管理**
在電源管理系統(tǒng)中,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源穩(wěn)壓模塊,IRFR214BTF-VB 可以處理高電壓的開關(guān)任務(wù)。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗,提高系統(tǒng)效率。盡管其最大漏極電流較低,但其高電壓能力使其適合于處理高電壓電源管理任務(wù)。
2. **開關(guān)控制**
IRFR214BTF-VB 適用于高電壓開關(guān)控制應(yīng)用,如開關(guān)電源和負(fù)載開關(guān)。在這些應(yīng)用中,它能夠在高電壓下穩(wěn)定地進(jìn)行開關(guān)操作,控制電流流動并優(yōu)化電路性能。
3. **電機(jī)驅(qū)動**
對于電機(jī)控制系統(tǒng),尤其是需要高電壓的應(yīng)用,IRFR214BTF-VB 提供了高電壓的開關(guān)能力,適用于電機(jī)啟動和運(yùn)行中的開關(guān)控制。其中等電流能力和高電壓處理能力使其在這些應(yīng)用中表現(xiàn)穩(wěn)定。
4. **工業(yè)控制**
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,IRFR214BTF-VB 可以用于高電壓的開關(guān)控制和負(fù)載管理。它的高電壓和中等電流能力使其能夠有效地管理工業(yè)設(shè)備中的電流流動,確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
5. **電池管理**
在高電壓電池管理系統(tǒng)中,IRFR214BTF-VB 可用于電池的保護(hù)和開關(guān)控制。其高電壓能力使其能夠處理電池充放電過程中的電流,確保電池系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定運(yùn)行。
這些應(yīng)用場景展示了 IRFR214BTF-VB 在需要高電壓和中等電流的場合中的廣泛適用性,其穩(wěn)定的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻使其在電源管理、電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)域中表現(xiàn)優(yōu)異。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它