--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 250V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
- ID 4.5A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
IRFR214ATF-VB 是一款高耐壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中高電壓開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。它具有最高 250V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。該 MOSFET 的開啟閾值電壓(Vth)為 3V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 640mΩ@VGS=10V,最大漏極電流(ID)為 4.5A。IRFR214ATF-VB 采用 Trench 技術(shù),提供優(yōu)良的開關(guān)性能和較高的電壓耐受能力,適用于各種中高電壓開關(guān)和功率管理應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 250V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 640mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4.5A
- **功耗 (Ptot)**: 40W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **高壓開關(guān)電源**: IRFR214ATF-VB 的高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于高壓開關(guān)電源系統(tǒng),如工業(yè)電源和電源適配器。在這些應(yīng)用中,它能有效地切換高電壓電源,提供穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換和管理。
2. **功率管理模塊**: 在功率管理模塊中,例如電源管理 IC 和功率轉(zhuǎn)換器,IRFR214ATF-VB 的高耐壓特性使其能夠處理較大的電壓波動。它能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運行,確保系統(tǒng)的可靠性和高效性。
3. **電機(jī)驅(qū)動**: 該 MOSFET 也適用于中高電壓的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用,如電動工具和高壓電機(jī)控制系統(tǒng)。其優(yōu)良的開關(guān)性能能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電機(jī)控制,提供平穩(wěn)的運行和長壽命。
4. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池管理系統(tǒng)中,如高壓電池保護(hù)電路,IRFR214ATF-VB 可用于控制電池的充放電過程。其高電壓耐受能力和穩(wěn)定性確保電池系統(tǒng)的安全性和可靠性,防止過充或過放電。
IRFR214ATF-VB 通過其高電壓耐受能力和良好的開關(guān)性能,為高壓開關(guān)電源、功率管理模塊、電機(jī)驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用提供可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12