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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR210TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR210TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR210TRPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR210TRPBF-VB 是一款高性能的單通道N型MOSFET,封裝類(lèi)型為T(mén)O252。這款MOSFET設(shè)計(jì)用于處理中等電壓和功率應(yīng)用,其漏源電壓(VDS)最大可達(dá)200V,柵源電壓(VGS)最大為±20V。閾值電壓為3V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時(shí)為850mΩ,能夠提供最大5A的連續(xù)漏極電流。采用Trench(溝槽型)技術(shù),IRFR210TRPBF-VB 提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能和良好的電流處理能力,適用于各種功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### IRFR210TRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)瓮ǖ繬型MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:200V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 850mΩ(在VGS=10V時(shí))
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:5A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽型)
- **最大功耗**:取決于散熱設(shè)計(jì)和工作環(huán)境
- **熱阻**:具體取決于封裝和散熱配置

### 適用領(lǐng)域與模塊
IRFR210TRPBF-VB 的特性使其適合用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,具體應(yīng)用如下:

1. **電源開(kāi)關(guān)**:在電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,IRFR210TRPBF-VB 可以用于電源管理和開(kāi)關(guān)控制,其200V的耐壓和5A的電流能力使其能夠處理中等功率負(fù)載,適合用于電源模塊和開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。

2. **功率轉(zhuǎn)換**:作為功率轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件,這款MOSFET 的Trench技術(shù)和較低的導(dǎo)通電阻使其在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)穩(wěn)定。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和其他需要高效能的功率轉(zhuǎn)換電路。

3. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,IRFR210TRPBF-VB 能夠高效地切換各種負(fù)載,特別是在需要中等電流處理能力的情況下。適用于工業(yè)控制系統(tǒng)和家用電器中的負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。

4. **電池保護(hù)**:該MOSFET 可以用于電池保護(hù)電路中,幫助管理電池的充放電過(guò)程。其較高的耐壓和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能使其能夠有效地保護(hù)電池免受過(guò)流或過(guò)壓損害。

5. **低功率逆變器**:在低功率逆變器應(yīng)用中,IRFR210TRPBF-VB 的高耐壓和穩(wěn)定的導(dǎo)通性能使其成為理想選擇。能夠處理中等功率的電力轉(zhuǎn)換任務(wù),如小型太陽(yáng)能逆變器或風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器設(shè)計(jì)。

IRFR210TRPBF-VB 的設(shè)計(jì)和性能使其在電源開(kāi)關(guān)、功率轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)和低功率逆變器等應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠滿(mǎn)足多種功率和電流處理需求。

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