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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR210ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR210ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IRFR210ATM-VB 產品簡介

IRFR210ATM-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。該 MOSFET 設計用于中等電壓應用,具有 200V 的漏源極電壓 (VDS) 和 5A 的漏極電流 (ID)。IRFR210ATM-VB 使用 Trench 技術,以降低導通電阻,在 10V 柵源極電壓下導通電阻 (RDS(ON)) 為 850mΩ。開啟電壓 (Vth) 為 3V,適合在較低柵源極電壓下進行高效開關操作。

### 二、IRFR210ATM-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)  
- **漏源極電壓 (VDS)**: 200V  
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 3V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 850mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 5A  
- **技術類型**: Trench 技術  
- **功率耗散**: 由于較高的導通電阻,功率耗散相對較大,但仍適合于某些中等功率應用。

### 三、IRFR210ATM-VB 應用領域和模塊示例

1. **中等電壓 DC-DC 轉換器**
  IRFR210ATM-VB 在中等電壓 DC-DC 轉換器中可以作為開關元件,處理高達 200V 的輸入電壓。其較高的導通電阻使其適合于需要中等電流的轉換器應用,適用于電源管理系統中需要處理較高電壓的部分。

2. **電機控制**
  在電機驅動應用中,IRFR210ATM-VB 能夠處理高達 5A 的電流,非常適合于電動工具和小型電機控制系統。盡管導通電阻相對較高,但其電流能力和高電壓處理能力使其適用于要求不特別高效的電機控制應用。

3. **功率開關**
  適用于需要高電壓耐受能力的功率開關應用。IRFR210ATM-VB 可以用作開關控制中等功率負載,適合于需要穩定開關性能的電力管理和控制系統。

4. **高電壓保護**
  由于其 200V 的高漏源極電壓,IRFR210ATM-VB 適用于高電壓保護電路,如電源保護和過壓保護應用。其能夠處理較高的電壓負載,適合用于需要電壓保護的模塊。

5. **照明驅動**
  盡管導通電阻較高,IRFR210ATM-VB 仍可用于需要高電壓耐受能力的照明驅動系統,如高壓燈具和其他中等功率照明模塊。其高電壓耐受能力能夠有效保護照明系統免受電壓波動的影響。

IRFR210ATM-VB 適用于各種需要中等電壓和電流處理的應用,尤其是在高電壓環境下的開關和控制系統中。雖然其導通電阻較高,但其可靠的開關性能和高電壓處理能力使其在特定的應用場景中非常有價值。

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