--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
- ID 30A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**IRFR13N20D-VB** 是一款高壓N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高功率、高電壓應用設計。該器件的最大漏極源極電壓(VDS)為200V,漏極電流(ID)為30A,具有優(yōu)異的開關性能和低導通電阻。其技術基礎是Trench技術,確保了高效的電能傳輸和低導通損耗。這使得IRFR13N20D-VB在高功率轉換、開關電源和電機驅動等領域具有廣泛的應用前景。
### 詳細參數說明
- **型號**: IRFR13N20D-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 55mΩ(VGS = 10V)
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: Trench技術
### 應用領域及模塊示例
1. **開關電源(SMPS)**:
- IRFR13N20D-VB的高漏極源極電壓(200V)和低導通電阻(55mΩ)使其在開關電源模塊中表現優(yōu)異。它能有效地處理高電壓和高電流的開關操作,提升電源轉換效率,并減少能量損耗。
2. **電機驅動**:
- 在電機驅動應用中,IRFR13N20D-VB能夠承受高電壓和大電流,非常適合用于電機的開關控制。它能夠提供穩(wěn)定的電流輸出,確保電機的平穩(wěn)運行,并提高系統(tǒng)的整體可靠性。
3. **DC-DC轉換器**:
- 在DC-DC轉換器中,IRFR13N20D-VB的高壓承受能力和低導通電阻幫助提高轉換效率。它適用于高功率的轉換應用,能夠處理大電流并保持低熱量產生,從而提升轉換器的性能和穩(wěn)定性。
4. **電池管理系統(tǒng)**:
- 電池管理系統(tǒng)需要高效的開關元件來控制電池的充放電過程。IRFR13N20D-VB的低導通電阻和高電壓承受能力使其非常適合用于電池管理系統(tǒng)中的開關控制,確保系統(tǒng)的可靠性和安全性。
這些應用示例展示了IRFR13N20D-VB在高功率、高電壓環(huán)境中的優(yōu)勢,確保了其在各種電子系統(tǒng)中的廣泛適用性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12