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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR13N20D-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR13N20D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 30A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**IRFR13N20D-VB** 是一款高壓N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高功率、高電壓應用設計。該器件的最大漏極源極電壓(VDS)為200V,漏極電流(ID)為30A,具有優(yōu)異的開關性能和低導通電阻。其技術基礎是Trench技術,確保了高效的電能傳輸和低導通損耗。這使得IRFR13N20D-VB在高功率轉換、開關電源和電機驅動等領域具有廣泛的應用前景。

### 詳細參數說明

- **型號**: IRFR13N20D-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 55mΩ(VGS = 10V)
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: Trench技術

### 應用領域及模塊示例

1. **開關電源(SMPS)**:
  - IRFR13N20D-VB的高漏極源極電壓(200V)和低導通電阻(55mΩ)使其在開關電源模塊中表現優(yōu)異。它能有效地處理高電壓和高電流的開關操作,提升電源轉換效率,并減少能量損耗。

2. **電機驅動**:
  - 在電機驅動應用中,IRFR13N20D-VB能夠承受高電壓和大電流,非常適合用于電機的開關控制。它能夠提供穩(wěn)定的電流輸出,確保電機的平穩(wěn)運行,并提高系統(tǒng)的整體可靠性。

3. **DC-DC轉換器**:
  - 在DC-DC轉換器中,IRFR13N20D-VB的高壓承受能力和低導通電阻幫助提高轉換效率。它適用于高功率的轉換應用,能夠處理大電流并保持低熱量產生,從而提升轉換器的性能和穩(wěn)定性。

4. **電池管理系統(tǒng)**:
  - 電池管理系統(tǒng)需要高效的開關元件來控制電池的充放電過程。IRFR13N20D-VB的低導通電阻和高電壓承受能力使其非常適合用于電池管理系統(tǒng)中的開關控制,確保系統(tǒng)的可靠性和安全性。

這些應用示例展示了IRFR13N20D-VB在高功率、高電壓環(huán)境中的優(yōu)勢,確保了其在各種電子系統(tǒng)中的廣泛適用性。

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